设置
快速交货
免运费
国际贸易术语
支付类型
市场产品
IPD65R1K0CEAUMA1 已经过时且不再制造。
可用替代品:
MFR Recommended
类似
IPD65R1K0CEAUMA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-IPD65R1K0CEAUMA1TR-ND - 卷带（TR） |
制造商 | |
制造商产品编号 | IPD65R1K0CEAUMA1 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 7.2A TO252-3 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 650 V 7.2A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3 |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） | |
零件状态 | 停产 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1 欧姆 @ 1.5A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 200µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15.3 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 328 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 68W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
卷带（TR）
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 2,500 | ¥2.64207 | ¥6,605.18 |
| 5,000 | ¥2.50301 | ¥12,515.05 |
| 12,500 | ¥2.31761 | ¥28,970.13 |
| 25,000 | ¥2.29466 | ¥57,366.50 |
制造商标准包装
相关产品查看所有 8 个结果
8 种货品
