7.2A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 22
制造商
Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationVishay SiliconixWolfspeed, Inc.
系列
-C3M™CoolMOS™CoolMOS™ CEPowerMESH™QFET®SuperMESH3™SuperMESH™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
40 V100 V500 V600 V650 V800 V900 V950 V1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,5V4.5V,10V10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
45 毫欧 @ 5A,10V270 毫欧 @ 4.3A,10V270 毫欧 @ 4.3A,5V450 毫欧 @ 7.2A,10V455 毫欧 @ 3.6A,15V730 毫欧 @ 3.6A,10V850 毫欧 @ 3.6A,10V960 毫欧 @ 3.6A,10V1 欧姆 @ 1.5A,10V1.2 欧姆 @ 3.6A,10V1.35 欧姆 @ 3.6A,10V1.5 欧姆 @ 3.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.5V @ 250µA3.5V @ 200µA3.5V @ 360µA3.6V @ 1mA4V @ 250µA4.5V @ 100µA5V @ 100µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12 nC @ 5 V13 nC @ 15 V15.3 nC @ 10 V16 nC @ 10 V26.6 nC @ 10 V32 nC @ 10 V33 nC @ 10 V34 nC @ 10 V36 nC @ 10 V38 nC @ 10 V43 nC @ 10 V45 nC @ 10 V52 nC @ 10 V94 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V+15V,-4V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
328 pF @ 100 V345 pF @ 1000 V360 pF @ 25 V490 pF @ 25 V910 pF @ 25 V970 pF @ 20 V1031 pF @ 100 V1230 pF @ 400 V1450 pF @ 25 V1595 pF @ 25 V1625 pF @ 25 V1850 pF @ 25 V3500 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
4.2W(Tc)30W(Tc)35W(Tc)37W(Tc)40.8W(Tc)68W(Tc)89W(Tc)90W(Tc)110W(Tc)120W(Tc)125W(Tc)150W(Tc)198W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOICD2PAKPG-TO220-3-313PG-TO220-FPPG-TO251-3-342PG-TO252-3TO-220TO-220-3TO-220FPTO-247-3TO-252(DPAK)TO-263-7TO-3PTO-3PF
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)TO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3 整包TO-220-3TO-247-3TO-251-3 短引线,IPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CATO-3P-3 整包TO-3P-3,SC-65-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
22结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 22
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
SI4447ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Vishay Siliconix
13,500
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.77230
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
7.2A(Tc)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
970 pF @ 20 V
-
4.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-220FP
STP9NK50ZFP
MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220FP
STMicroelectronics
334
现货
1 : ¥16.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
7.2A(Tc)
10V
850 毫欧 @ 3.6A,10V
4.5V @ 100µA
32 nC @ 10 V
±30V
910 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220-3
STP9NK50Z
MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220AB
STMicroelectronics
466
现货
1 : ¥21.75000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
7.2A(Tc)
10V
850 毫欧 @ 3.6A,10V
4.5V @ 100µA
32 nC @ 10 V
±30V
910 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
PG-TO-220-FP
IPA65R1K0CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
Infineon Technologies
464
现货
1 : ¥9.03000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
7.2A(Tc)
10V
1 欧姆 @ 1.5A,10V
3.5V @ 200µA
15.3 nC @ 10 V
±20V
328 pF @ 100 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
D²PAK
STB9NK50ZT4
MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
STMicroelectronics
4,065
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
1,000 : ¥5.92822
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
7.2A(Tc)
10V
850 毫欧 @ 3.6A,10V
4.5V @ 100µA
32 nC @ 10 V
±30V
910 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB Full Pack
IRFI520GPBF
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3
Vishay Siliconix
1,029
现货
1 : ¥12.64000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
7.2A(Tc)
10V
270 毫欧 @ 4.3A,10V
4V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
360 pF @ 25 V
-
37W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
TO-220-3
STP7N95K3
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3
STMicroelectronics
411
现货
1 : ¥24.79000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
7.2A(Tc)
10V
1.35 欧姆 @ 3.6A,10V
5V @ 100µA
34 nC @ 10 V
±30V
1031 pF @ 100 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-247-3 HiP
STW7N95K3
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO247-3
STMicroelectronics
590
现货
1 : ¥52.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
7.2A(Tc)
10V
1.35 欧姆 @ 3.6A,10V
5V @ 100µA
34 nC @ 10 V
±30V
1031 pF @ 100 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C3M0065090J
C3M0350120J
SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7
Wolfspeed, Inc.
624
现货
1 : ¥60.75000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
7.2A(Tc)
15V
455 毫欧 @ 3.6A,15V
3.6V @ 1mA
13 nC @ 15 V
+15V,-4V
345 pF @ 1000 V
-
40.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
PG-TO220 Full Pack
IPA95R450PFD7XKSA1
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3
Infineon Technologies
375
现货
1 : ¥18.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
7.2A(Tc)
10V
450 毫欧 @ 7.2A,10V
3.5V @ 360µA
43 nC @ 10 V
±20V
1230 pF @ 400 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3-313
TO-220-3 整包
C3M0065090J-TR
C3M0350120J-TR
SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Wolfspeed, Inc.
800
现货
1 : ¥60.75000
剪切带(CT)
800 : ¥38.30646
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
7.2A(Tc)
15V
455 毫欧 @ 3.6A,15V
3.6V @ 1mA
13 nC @ 15 V
+15V,-4V
345 pF @ 1000 V
-
40.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-220-F
STF7N95K3
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥32.92000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
7.2A(Tc)
10V
1.35 欧姆 @ 3.6A,10V
5V @ 100µA
33 nC @ 10 V
±30V
1031 pF @ 100 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220AB Full Pack
IRLI520GPBF
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥15.84000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
7.2A(Tc)
4V,5V
270 毫欧 @ 4.3A,5V
2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±10V
490 pF @ 25 V
-
37W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
TO252-3
IPD65R1K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
2,500 : ¥2.64190
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
7.2A(Tc)
10V
1 欧姆 @ 1.5A,10V
3.5V @ 200µA
15.3 nC @ 10 V
±20V
328 pF @ 100 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IPAK
IPS65R1K0CEAKMA2
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
1,500 : ¥2.96637
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
7.2A(Tc)
10V
1 欧姆 @ 1.5A,10V
3.5V @ 200µA
15.3 nC @ 10 V
±20V
328 pF @ 100 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO251-3-342
TO-251-3 短引线,IPAK
0
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.06607
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
7.2A(Tc)
10V
850 毫欧 @ 3.6A,10V
4V @ 250µA
26.6 nC @ 10 V
±30V
1595 pF @ 25 V
-
89W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB Full Pack
IRLI520G
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
7.2A(Tc)
4V,5V
270 毫欧 @ 4.3A,5V
2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±10V
490 pF @ 25 V
-
37W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFI520G
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
7.2A(Tc)
10V
270 毫欧 @ 4.3A,10V
4V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
360 pF @ 25 V
-
37W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
TO-220-3
STP7NB60
MOSFET N-CH 600V 7.2A TO220AB
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
7.2A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 3.6A,10V
5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±30V
1625 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220F
FQAF9N50
MOSFET N-CH 500V 7.2A TO3PF
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
7.2A(Tc)
10V
730 毫欧 @ 3.6A,10V
5V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±30V
1450 pF @ 25 V
-
90W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
TO-3P-3,TO-247-3
FQA7N80
MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
7.2A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 3.6A,10V
5V @ 250µA
52 nC @ 10 V
±30V
1850 pF @ 25 V
-
198W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
TO-220F
FQAF11N90
MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PF
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
7.2A(Tc)
10V
960 毫欧 @ 3.6A,10V
5V @ 250µA
94 nC @ 10 V
±30V
3500 pF @ 25 V
-
120W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
显示
/ 22

7.2A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。