IMBG65R083M1HXTMA1 | |
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DigiKey 零件编号 | 448-IMBG65R083M1HXTMA1TR-ND - 卷带(TR) 448-IMBG65R083M1HXTMA1CT-ND - 剪切带(CT) 448-IMBG65R083M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | IMBG65R083M1HXTMA1 |
描述 | SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- |
原厂标准交货期 | 26 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 650 V 28A(Tc) 126W(Tc) PG-TO263-7-12 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IMBG65R083M1HXTMA1 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 18V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 111 毫欧 @ 11.2A,18V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5.7V @ 3.3mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 19 nC @ 18 V | |
Vgs(最大值) | +23V,-5V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 624 pF @ 400 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 126W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PG-TO263-7-12 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
---|---|---|
1 | ¥60.01000 | ¥60.01 |
10 | ¥51.46800 | ¥514.68 |
100 | ¥42.89090 | ¥4,289.09 |
500 | ¥37.84506 | ¥18,922.53 |
卷带(TR)
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
---|---|---|
1,000 | ¥34.06047 | ¥34,060.47 |
2,000 | ¥31.91593 | ¥63,831.86 |
制造商标准包装
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