TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA 单 FET,MOSFET

结果 : 251
制造商
Diotec SemiconductorGeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyonsemiQorvoRohm SemiconductorSMC Diode SolutionsSTMicroelectronicsWolfspeed, Inc.
系列
-C2M™C3M™CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™ Gen 2CoolSIC™ M1EE-SeriesG2R™G2R™, LoRing™G3R™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
40 V49 V75 V80 V100 V600 V650 V700 V750 V900 V1000 V1200 V1700 V3300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A(Tc)4A(Tc)4.3A(Tc)4.7A(Tc)5A(Tc)5.2A(Tc)5.3A(Tc)5.8A(Ta),44A(Tc)6A(Tc)6.4A(Tc)7.2A(Tc)7.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V12V12V,15V15V15V,18V15V,20V18V18V,20V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.75 毫欧 @ 100A,10V1.4 毫欧 @ 100A,10V1.4 毫欧 @ 200A,10V1.53 毫欧 @ 100A,10V1.6 毫欧 @ 100A,10V1.7 毫欧 @ 100A,10V2.3 毫欧 @ 100A,10V2.4 毫欧 @ 100A,10V2.4 毫欧 @ 90A,10V3.2 毫欧 @ 83A,10V3.9 毫欧 @ 80A,10V4.2 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 240µA2.4V @ 1mA(典型值)2.4V @ 750µA2.5V @ 250µA2.69V @ 12mA2.69V @ 2mA2.69V @ 7.5mA2.7V @ 10mA2.7V @ 18mA2.7V @ 18mA(典型值)2.7V @ 24mA2.7V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5 nC @ 12 V5.9 nC @ 18 V6 nC @ 18 V7 nC @ 10 V7.9 nC @ 18 V8 nC @ 12 V9.4 nC @ 18 V9.5 nC @ 15 V9.7 nC @ 18 V10 nC @ 15 V10 nC @ 18 V11 nC @ 12 V
Vgs(最大值)
4.2V @ 1mA+15V,-4V+15V,-5V±15V+18V,-15V+18V,-5V+18V,-8V+19V,-10V+19V,-8V+20V,-10V+20V,-5V+20V,-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
139 pF @ 1000 V150 pF @ 1000 V150 pF @ 600 V196 pF @ 800 V200 pF @ 1000 V201 pF @ 400 V238 pF @ 1000 V275 pF @ 1000 V290 pF @ 800 V312 pF @ 800 V320 pF @ 400 V331 pF @ 800 V
FET 功能
-温度检测二极管耗尽模式
功率耗散(最大值)
3.6W(Ta),211W(Tc)3.7W(Ta),468W(Tc)3.7W(Ta),477W(Tc)3.8W(Ta),375W(Tc)40.8W(Tc)44W(Tc)50W(Tc)51W(Tc)54W(Tc)64W(Tc)65W(Tc)68W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
D2PAK-7D2PAK-7LD2PAK(7-Lead)H2PAK-7HU3PAKPG-TO220-7-180PG-TO263-7PG-TO263-7-1PG-TO263-7-11PG-TO263-7-12PG-TO263-7-13PG-TO263-7-14TO-263-7TO-263-7L
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
251结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 251
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TO263-7
IMBF170R1K0M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Infineon Technologies
3,103
现货
1 : ¥40.47000
剪切带(CT)
1,000 : ¥20.93301
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
5.2A(Tc)
12V,15V
1000毫欧 @ 1A,15V
5.7V @ 1.1mA
5 nC @ 12 V
+20V,-10V
275 pF @ 1000 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-13
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
PG-TO263-7
IMBF170R650M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Infineon Technologies
1,898
现货
1 : ¥45.81000
剪切带(CT)
1,000 : ¥23.68635
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
7.4A(Tc)
12V,15V
650毫欧 @ 1.5A,15V
5.7V @ 1.7mA
8 nC @ 12 V
+20V,-10V
422 pF @ 1000 V
-
88W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-13
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
IMBG120R350M1HXTMA1
IMBG120R350M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263
Infineon Technologies
1,039
现货
1 : ¥51.39000
剪切带(CT)
1,000 : ¥29.05485
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
4.7A(Tc)
-
468 毫欧 @ 2A,18V
5.7V @ 1mA
5.9 nC @ 18 V
+18V,-15V
196 pF @ 800 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
PG-TO263-7
IMBF170R450M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Infineon Technologies
1,512
现货
1 : ¥51.72000
剪切带(CT)
1,000 : ¥29.35031
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
9.8A(Tc)
12V,15V
450毫欧 @ 2A,15V
5.7V @ 2.5mA
11 nC @ 12 V
+20V,-10V
610 pF @ 1000 V
-
107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-13
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
UF3C120080B7S
UF3C170400B7S
SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Qorvo
6,655
现货
1 : ¥60.75000
剪切带(CT)
800 : ¥38.30646
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
1700 V
7.6A(Tc)
12V
515毫欧 @ 5A,12V
6V @ 10mA
23.1 nC @ 15 V
±25V
734 pF @ 1200 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
UF3C120080B7S
UF3C120080B7S
SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Qorvo
4,885
现货
1 : ¥74.71000
剪切带(CT)
800 : ¥62.59628
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
1200 V
28.8A(Tc)
-
105 毫欧 @ 20A,12V
6V @ 10mA
23 nC @ 12 V
±25V
754 pF @ 100 V
-
190W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
G3R160MT12J-TR
G3R75MT12J-TR
1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
GeneSiC Semiconductor
5,883
现货
1 : ¥90.55000
剪切带(CT)
800 : ¥68.46606
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
38A(Tc)
15V,18V
85 毫欧 @ 20A,18V
2.7V @ 10mA
47 nC @ 15 V
+22V,-10V
1545 pF @ 800 V
-
196W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
CoolSiC_MOSFET
IMBG120R045M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Infineon Technologies
1,017
现货
1 : ¥136.28000
剪切带(CT)
1,000 : ¥86.31218
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
47A(Tc)
-
63 毫欧 @ 16A,18V
5.7V @ 7.5mA
46 nC @ 18 V
+18V,-15V
1527 pF @ 800 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
1,147
现货
1 : ¥144.07000
剪切带(CT)
1,000 : ¥91.25158
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
48A
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
UF3C120080B7S
UJ4SC075018B7S
750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Qorvo
2,295
现货
1 : ¥146.29000
剪切带(CT)
800 : ¥100.98975
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
750 V
72A(Tc)
12V
23 毫欧 @ 50A,12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1414 pF @ 400 V
-
259W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
D2PAK-7
NVBG160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
onsemi
424
现货
1 : ¥157.37000
剪切带(CT)
800 : ¥59.18344
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
19.5A(Tc)
20V
224毫欧 @ 12A,20V
4,3V @ 2,5mA
33.8 nC @ 20 V
+25V,-15V
678 pF @ 800 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
C3M0065090J
C3M0075120J
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
5,562
现货
1 : ¥161.56000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
30A(Tc)
15V
90 毫欧 @ 20A,15V
4V @ 5mA
51 nC @ 15 V
+19V,-8V
1350 pF @ 1000 V
-
113.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
C3M0065090J
C3M0065090J
SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
4,286
现货
1 : ¥161.97000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
900 V
35A(Tc)
15V
78 毫欧 @ 20A,15V
3.5V @ 5mA
30 nC @ 15 V
+19V,-8V
660 pF @ 600 V
-
113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
C3M0065090J-TR
C3M0065090J-TR
SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
2,211
现货
1 : ¥161.97000
剪切带(CT)
800 : ¥111.81008
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
900 V
35A(Tc)
15V
78 毫欧 @ 20A,15V
3.5V @ 5mA
30 nC @ 15 V
+19V,-8V
660 pF @ 600 V
-
113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
CoolSiC_MOSFET
IMBG120R030M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263
Infineon Technologies
760
现货
1 : ¥167.72000
剪切带(CT)
1,000 : ¥109.49521
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
56A(Tc)
-
41 毫欧 @ 25A,18V
5.7V @ 11.5mA
63 nC @ 18 V
+18V,-15V
2290 pF @ 800 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
C3M0065090J
C3M0065100J
SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
2,206
现货
1 : ¥175.11000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1000 V
35A(Tc)
15V
78 毫欧 @ 20A,15V
3.5V @ 5mA
35 nC @ 15 V
+15V,-4V
660 pF @ 600 V
-
113.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
UF3C120080B7S
UF3SC120040B7S
1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
Qorvo
1,950
现货
1 : ¥202.28000
剪切带(CT)
800 : ¥134.14884
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
1200 V
47A(Tc)
12V
45 毫欧 @ 35A,12V
6V @ 10mA
43 nC @ 12 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
C3M0065090J
C3M0040120J1
1200V 40 M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
637
现货
1 : ¥221.82000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
64A(Tc)
15V
53.5 毫欧 @ 33.3A,15V
3.6V @ 9.2mA
94 nC @ 15 V
+15V,-4V
2900 pF @ 1000 V
-
272W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
D2PAK-7
NTBG015N065SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
onsemi
1,238
现货
1 : ¥223.29000
剪切带(CT)
800 : ¥148.06686
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
145A(Tc)
15V,18V
18 毫欧 @ 75A,18V
4.3V @ 25mA
283 nC @ 18 V
+22V,-8V
4689 pF @ 325 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
D2PAK-7
NTBG014N120M3P
SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
onsemi
287
现货
1 : ¥238.07000
剪切带(CT)
800 : ¥157.89664
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
104A(Tc)
15V,18V
20 毫欧 @ 74A,18V
4.63V @ 37mA
337 nC @ 18 V
+22V,-10V
6313 pF @ 800 V
-
454W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
C3M0065090J
C3M0025065J1
650V 25 M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
407
现货
1 : ¥254.08000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
80A(Tc)
15V
34 毫欧 @ 33.5A,15V
3.6V @ 9.22mA
109 nC @ 15 V
+19V,-8V
2980 pF @ 400 V
-
271W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
C3M0065090J
C3M0032120J1
1200V 32MOHM SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
1,470
现货
1 : ¥297.18000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
68A(Tc)
15V
43 毫欧 @ 41.4A,15V
3.6V @ 11.5mA
111 nC @ 15 V
+15V,-4V
3424 pF @ 1000 V
-
277W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
SCT4026DW7HRTL
SCT4013DW7TL
750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
387
现货
1 : ¥298.25000
剪切带(CT)
1,000 : ¥194.68385
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
750 V
98A(Tj)
18V
16.9 毫欧 @ 58A,18V
4.8V @ 30.8mA
170 nC @ 18 V
+21V,-4V
4580 pF @ 500 V
-
267W
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7L
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
D2PAK-7
NTBG020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
onsemi
733
现货
1 : ¥308.18000
剪切带(CT)
800 : ¥204.37438
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
8.6A(Ta),98A(Tc)
20V
28毫欧 @ 60A,20V
4.3V @ 20mA
220 nC @ 20 V
+25V,-15V
2943 pF @ 800 V
-
3.7W(Ta),468W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
UF3C120080B7S
UJ4SC075009B7S
750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Qorvo
1,132
现货
1 : ¥313.68000
剪切带(CT)
800 : ¥208.01563
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
750 V
106A(Tc)
12V
11.5 毫欧 @ 70A,12V
5.5V @ 10mA
75 nC @ 15 V
±20V
3340 pF @ 400 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
显示
/ 251

TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。