SIR182DP-T1-RE3 | ||
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DigiKey 零件编号 | SIR182DP-T1-RE3TR-ND - 卷带(TR) SIR182DP-T1-RE3CT-ND - 剪切带(CT) SIR182DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | SIR182DP-T1-RE3 | |
描述 | MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 | |
原厂标准交货期 | 10 周 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 60 V 60A(Tc) 69.4W(Tc) PowerPAK® SO-8 | |
规格书 | 规格书 | |
EDA/CAD 模型 | SIR182DP-T1-RE3 型号 |
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 60 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 7.5V,10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.8 毫欧 @ 15A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.6V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 64 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3250 pF @ 30 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 69.4W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量 | 单价 | 总价 |
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1 | $1.60000 | $1.60 |
10 | $1.32600 | $13.26 |
100 | $1.05570 | $105.57 |
500 | $0.89324 | $446.62 |
1,000 | $0.75790 | $757.90 |
数量 | 单价 | 总价 |
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3,000 | $0.72001 | $2,160.03 |
6,000 | $0.69294 | $4,157.64 |
9,000 | $0.67000 | $6,030.00 |