单 FET,MOSFET

结果 : 211
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedGeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiQorvoRohm SemiconductorSemiQSMC Diode SolutionsSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-C3M™CoolSiC™CoolSiC™ Gen 2EG2R™, LoRing™G3R™, LoRing™LoRing™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
100 V300 V600 V650 V750 V900 V1000 V1200 V1700 V2000 V3300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A3A(Tc)(95°C)4A(Tc)(165°C)4A(Tc)(95°C)4.2A(Tc)4.3A(Tc)5A(Tc)6A(Tc)6A(Tc)(90°C)6.3A(Tc)7A(Tc)(165°C)7.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
12V15V15V,18V15V,20V16V,20V18V18V,20V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.1mOhm @ 146.3A, 20V10 毫欧 @ 100A11.3 毫欧 @ 93A,20V13.2 毫欧 @ 64.2A,20V15 毫欧 @ 41.5A,20V15毫欧 @ 41.5A,20A15.8 毫欧 @ 60A,18V16.5 毫欧 @ 60A,18V17 毫欧 @ 84.29A,15V17.5 毫欧 @ 60A,18V18 毫欧 @ 32.5A,20V18 毫欧 @ 46.9A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.7V @ 10mA2.7V @ 18mA2.7V @ 24mA2.7V @ 2mA2.7V @ 5mA2.8V @ 17.5mA2.8V @ 27mA2.9V @ 2mA2.9V @ 4mA3V @ 15mA3V @ 1mA3V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.9 nC @ 18 V10 nC @ 15 V11 nC @ 20 V12 nC @ 15 V12 nC @ 18 V13 nC @ 15 V13 nC @ 18 V14 nC @ 20 V15 nC @ 18 V15.5 nC @ 20 V18 nC @ 15 V18 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
4.2V @ 1mA+15V,-4V+15V,-5V+18V,-3V+18V,-5V+18V,-8V+19V,-8V+20V,-5V+20V,-7V±20V+21V,-4V+22V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
124 pF @ 1000 V139 pF @ 1000 V150 pF @ 1000 V206 pF @ 800 V238 pF @ 1000 V290 pF @ 800 V324 pF @ 35 V331 pF @ 800 V333 pF @ 1000 V345 pF @ 1000 V350 pF @ 800 V351 pF @ 500 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
15W(Tc)20W(Tc)40.8W(Tc)44W(Tc)47W(Tc)48W48W(Tc)51W(Tc)64W(Tc)69W74W(Tc)76W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-55°C ~ 225°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
-D2PAK-7D2PAK-7LH2PAK-7HU3PAKHiP247™PG-HDSOP-22-1PG-TO247-3-40PG-TO247-3-U06PG-TO247-4PG-TO247-4-11PG-TO247-4-14
封装/外壳
22-PowerBSOP 模块-SOT-227-4,miniBLOCTO-247-3TO-247-4TO-257-3TO-258-3,TO-258AATO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CBTO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CATO-276AATO-46-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
211结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
G3R160MT12J-TR
G3R75MT12J-TR
1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
GeneSiC Semiconductor
5,893
现货
1 : ¥89.67000
剪切带(CT)
800 : ¥67.80298
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)1200 V38A(Tc)15V,18V85 毫欧 @ 20A,18V2.7V @ 10mA47 nC @ 15 V+22V,-10V1545 pF @ 800 V-196W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-263-7TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
279
现货
1 : ¥275.20000
管件
管件
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)2000 V34A(Tc)15V,18V98 毫欧 @ 13A,18V5.5V @ 7.7mA64 nC @ 18 V+20V,-7V--267W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔PG-TO247-4-U04TO-247-4
189
现货
1 : ¥361.21000
管件
管件
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)2000 V48A(Tc)15V,18V64 毫欧 @ 20A,18V5.5V @ 12.1mA82 nC @ 18 V+20V,-7V--348W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔PG-TO247-4-U04TO-247-4
244
现货
1 : ¥529.25000
管件
管件
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)2000 V89A(Tc)15V,18V33 毫欧 @ 40A,18V5.5V @ 24mA137 nC @ 18 V+20V,-7V--576W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔PG-TO247-4-U04TO-247-4
184
现货
1 : ¥986.80000
管件
管件
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)2000 V123A(Tc)15V,18V16.5 毫欧 @ 60A,18V5.5V @ 48mA246 nC @ 18 V+20V,-7V--552W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔PG-TO247-4-U04TO-247-4
TO-247-3
NTHL040N120M3S
SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
onsemi
513
现货
3,150
工厂
1 : ¥103.49000
管件
-
管件
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)1200 V54A(Tc)18V54 毫欧 @ 20A,18V4.4V @ 10mA75 nC @ 18 V+22V,-10V1700 pF @ 800 V-231W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-247-3TO-247-3
157
现货
1 : ¥166.17000
管件
管件
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)1200 V70A(Tc)15V,18V40.9 毫欧 @ 25.6A,18V5.2V @ 11mA68 nC @ 18 V+20V,-7V2160 pF @ 800 V-273W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔PG-TO247-4-U02TO-247-4
185
现货
1 : ¥184.06000
管件
-
管件
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)1200 V69A(Tc)18V,20V38 毫欧 @ 27A,20V5.1V @ 8.6mA57 nC @ 20 V+23V,-5V1738 pF @ 800 V-326W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101通孔PG-TO247-4-11TO-247-4
GCMX040B120S1-E1
GCMX040B120S1-E1
SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
SemiQ
125
现货
1 : ¥229.51000
管件
-
管件
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)1200 V57A(Tc)20V52 毫欧 @ 40A,20V4V @ 10mA121 nC @ 20 V+25V,-10V3185 pF @ 1000 V-242W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--底座安装SOT-227SOT-227-4,miniBLOC
185
现货
1 : ¥260.40000
管件
-
管件
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)1200 V100A(Tc)18V,20V25 毫欧 @ 43A,20V5.1V @ 13.7mA82 nC @ 20 V+23V,-5V2667 pF @ 800 V-429W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101通孔PG-TO247-4-11TO-247-4
TO-247-4
NVH4L040N120M3S
SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
onsemi
395
现货
1 : ¥276.74000
管件
-
管件
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)1200 V54A(Tc)18V54 毫欧 @ 20A,18V4.4V @ 10mA75 nC @ 18 V+18V,-3V1700 pF @ 800 V-231W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101通孔TO-247-4LTO-247-4
C3M0065100K
E3M0016120K
SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-
Wolfspeed, Inc.
357
现货
1 : ¥628.76000
管件
-
管件
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)1200 V125A(Tc)15V22 毫欧 @ 80.28A,15V3.6V @ 22.08mA223 nC @ 15 V+19V,-8V6922 pF @ 1000 V-483W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101通孔TO-247-4LTO-247-4
240
现货
1 : ¥36.10000
管件
-
管件
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)1200 V6.3A(Tc)15V675 毫欧 @ 1.2A,15V3.5V @ 1.2mA12 nC @ 15 V+15V,-5V206 pF @ 800 V-44W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-247TO-247-3
D2PAK-7
NTBG1000N170M1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
onsemi
640
现货
1 : ¥36.50000
剪切带(CT)
800 : ¥22.05443
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)1700 V4.3A(Tc)20V1.43 欧姆 @ 2A,20V4.3V @ 640µA14 nC @ 20 V+25V,-15V150 pF @ 1000 V-51W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型D2PAK-7TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247AD
S2M0160120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
286
现货
1 : ¥44.79000
管件
-
管件
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)1200 V17A(Tc)20V196 毫欧 @ 10A,20V4V @ 2.5mA26.5 nC @ 20 V+20V,-5V513 pF @ 1000 V-130W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-247ADTO-247-3
G3R160MT12J-TR
G3R350MT12J-TR
1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
GeneSiC Semiconductor
746
现货
1 : ¥44.80000
剪切带(CT)
800 : ¥32.92606
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)1200 V10A(Tc)15V,18V395 毫欧 @ 4A,18V2.7V @ 2mA10 nC @ 15 V+22V,-10V331 pF @ 800 V-64W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-263-7TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247-4
S2M0160120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
300
现货
1 : ¥49.17000
管件
-
管件
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)1200 V17A(Tc)20V196 毫欧 @ 10A,20V4V @ 2.5mA26.5 nC @ 20 V+20V,-5V513 pF @ 1000 V-130W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-247-4TO-247-4
750
现货
1 : ¥48.86000
剪切带(CT)
750 : ¥30.61676
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)750 V17A(Tc)15V,20V129 毫欧 @ 4.7A,20V5.6V @ 1.7mA12 nC @ 18 V+23V,-5V351 pF @ 500 V-100W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型PG-HDSOP-22-122-PowerBSOP 模块
TO-247-4
S2M0120120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
300
现货
1 : ¥51.45000
管件
-
管件
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)1200 V21A(Tc)20V150 毫欧 @ 13.3A,20V4V @ 3.3mA29.6 nC @ 20 V+20V,-5V652 pF @ 1000 V-156W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-247-4TO-247-4
TO-263-7
S2M0160120J
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
300
现货
1 : ¥52.04000
管件
-
管件
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)1200 V16A(Tc)20V196 毫欧 @ 10A,20V4V @ 2.5mA26.5 nC @ 20 V+20V,-5V513 pF @ 1000 V-122W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-263-7TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247AD
S2M0120120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
300
现货
1 : ¥52.88000
管件
-
管件
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)1200 V21A(Tc)20V150 毫欧 @ 13.3A,20V4V @ 3.3mA29.6 nC @ 20 V+20V,-5V652 pF @ 1000 V-156W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-247ADTO-247-3
G2R1000MT17J-TR
G2R1000MT17J-TR
1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
GeneSiC Semiconductor
740
现货
1 : ¥52.36000
剪切带(CT)
800 : ¥38.94214
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)1700 V5A(Tc)20V1.2 欧姆 @ 2A,20V4V @ 2mA11 nC @ 20 V+20V,-5V139 pF @ 1000 V-44W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-263-7TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
315
现货
1 : ¥53.74000
剪切带(CT)
1,000 : ¥27.77219
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)1200 V8.1A(Tc)15V,18V233.9 毫欧 @ 3A,18V5.1V @ 900µA7.9 nC @ 18 V+20V,-7V290 pF @ 800 V-80W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型PG-TO263-7-12TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-263-7
S2M0120120J
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
273
现货
1 : ¥57.32000
管件
-
管件
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)1200 V21A(Tc)20V150 毫欧 @ 13.3A,20V4V @ 3.3mA29.6 nC @ 20 V+20V,-5V652 pF @ 1000 V-153W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-263-7TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
C3M0065090J-TR
C3M0350120J-TR
SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Wolfspeed, Inc.
800
现货
1 : ¥60.16000
剪切带(CT)
800 : ¥37.93546
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)1200 V7.2A(Tc)15V455 毫欧 @ 3.6A,15V3.6V @ 1mA13 nC @ 15 V+15V,-4V345 pF @ 1000 V-40.8W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263-7TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
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/ 211

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。