单双极晶体管

结果 : 5
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
63 @ 150mA,2V100 @ 150mA,2V
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT223
BCP56-16T-QX
TRANS NPN 80V 1A SOT223
Nexperia USA Inc.
18,000
现货
1,000 : ¥0.73974
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
NPN
1 A
80 V
500mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
100 @ 150mA,2V
600 mW
155MHz
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223
SOT223
BCP56-10T-QX
TRANS NPN 80V 1A SOT223
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
14,000 : ¥0.48289
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
NPN
1 A
80 V
500mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
63 @ 150mA,2V
600 mW
155MHz
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223
SOT223
BCP56T-QF
TRANS NPN 80V 1A SOT223
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
16,000 : ¥0.48289
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
NPN
1 A
80 V
500mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
63 @ 150mA,2V
600 mW
155MHz
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223
SOT223
BCP56-10T-QF
TRANS NPN 80V 1A SOT223
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
16,000 : ¥0.48289
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
NPN
1 A
80 V
500mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
63 @ 150mA,2V
600 mW
155MHz
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223
SOT223
BCP56-16T-QF
TRANS NPN 80V 1A SOT223
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
16,000 : ¥0.48289
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
NPN
1 A
80 V
500mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
100 @ 150mA,2V
600 mW
155MHz
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223
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单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。