单 FET,MOSFET

结果 : 12
包装
剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
200 V400 V500 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A(Tc)4A(Tc)5.5A(Tc)6A(Tc)8A(Tc)10A(Tc)14A(Tc)18.4A(Tc)33A(Tc)40A(Tc)53A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
80 毫欧 @ 27A,10V85 毫欧 @ 16A,10V130 毫欧 @ 20A,10V270 毫欧 @ 9A,10V380 毫欧 @ 7A,10V550 毫欧 @ 5.3A,10V800 毫欧 @ 3A,10V850 毫欧 @ 3.5A,10V1 欧姆 @ 3A,10V1.2 欧姆 @ 3A,10V3 欧姆 @ 1.5A,10V5 欧姆 @ 1A,10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15.5 nC @ 10 V17 nC @ 10 V24 nC @ 10 V27 nC @ 10 V39 nC @ 10 V43 nC @ 10 V45.5 nC @ 10 V90 nC @ 10 V128 nC @ 10 V158 nC @ 10 V430 nC @ 10 V434 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
228 pF @ 25 V315 pF @ 25 V350 pF @ 25 V530 pF @ 25 V832 pF @ 25 V1020 pF @ 25 V1400 pF @ 25 V2000 pF @ 25 V2850 pF @ 25 V2980 pF @ 25 V11100 pF @ 25 V11200 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
50W(Tc)70W(Tc)80W(Tc)100W(Tc)125W(Tc)180W(Tc)190W(Tc)220W(Tc)460W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAKISOTOP®TO-220TO-247-3
封装/外壳
ISOTOPTO-220-3TO-247-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
ISOTOP
STE53NC50
MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥339.62000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
53A(Tc)
10V
80 毫欧 @ 27A,10V
4V @ 250µA
434 nC @ 10 V
±30V
11200 pF @ 25 V
-
460W(Tc)
150°C(TJ)
底座安装
ISOTOP®
ISOTOP
ISOTOP
STE40NC60
MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥330.02000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
40A(Tc)
10V
130 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
430 nC @ 10 V
±30V
11100 pF @ 25 V
-
460W(Tc)
150°C(TJ)
底座安装
ISOTOP®
ISOTOP
MFG_DPAK(TO252-3)
STD1HNC60T4
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
STMicroelectronics
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
2A(Tc)
10V
5 欧姆 @ 1A,10V
4V @ 250µA
15.5 nC @ 10 V
±30V
228 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-247-3
IRFP250
MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
33A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
158 nC @ 10 V
±20V
2850 pF @ 25 V
-
180W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-3
IRF840
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
8A(Tc)
10V
850 毫欧 @ 3.5A,10V
4V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±20V
832 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
IRF820
MOSFET N-CH 500V 4A TO220AB
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
4A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±30V
315 pF @ 25 V
-
80W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-247-3 HiP
IRFP460
MOSFET N-CH 500V 18.4A TO247-3
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
18.4A(Tc)
10V
270 毫欧 @ 9A,10V
4V @ 250µA
128 nC @ 10 V
±30V
2980 pF @ 25 V
-
220W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
IRFP450
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
14A(Tc)
10V
380 毫欧 @ 7A,10V
4V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±30V
2000 pF @ 25 V
-
190W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-3
IRF730
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
5.5A(Tc)
10V
1 欧姆 @ 3A,10V
4V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
530 pF @ 25 V
-
100W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
IRF740
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
10A(Tc)
10V
550 毫欧 @ 5.3A,10V
4V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-65°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
IRF620
MOSFET N-CH 200V 6A TO220AB
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
6A(Tc)
10V
800 毫欧 @ 3A,10V
4V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
-65°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP6NC60
MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
6A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 3A,10V
4V @ 250µA
45.5 nC @ 10 V
±30V
1020 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
/ 12

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。