单 FET，MOSFET

结果 : 4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
300 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A（Tc）30A（Tc）53A（Tc）84A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
29 毫欧 @ 42A，10V40 毫欧 @ 26.5A，10V95 毫欧 @ 15A，10V190 毫欧 @ 9A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
36 nC @ 10 V71 nC @ 10 V95 nC @ 10 V204 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1434 pF @ 100 V3000 pF @ 100 V4240 pF @ 100 V8825 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
48W（Tc）190W（Tc）250W（Tc）450W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-247-4TO-263（D2PAK）TO-3PF
封装/外壳
TO-247-4TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-3P-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
D2Pak
STB45N30M5
NCHANNEL 300 V 0.037 OHM TYP. 53
STMicroelectronics
995
现货
1 : ¥55.08000
剪切带（CT）
1,000 : ¥31.25996
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
53A（Tc）
10V
40 毫欧 @ 26.5A，10V
5V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±25V
4240 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-247-4
STW88N65M5-4
MOSFET N-CH 650V 84A TO247-4L
STMicroelectronics
585
现货
1 : ¥140.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
84A（Tc）
10V
29 毫欧 @ 42A，10V
5V @ 250µA
204 nC @ 10 V
±25V
8825 pF @ 100 V
-
450W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
STW38N65M5-4
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
STMicroelectronics
50
现货
1 : ¥61.90000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
30A（Tc）
10V
95 毫欧 @ 15A，10V
5V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±25V
3000 pF @ 100 V
-
190W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-3P-3 Full Pack
STFW20N65M5
MOSFET N-CH 650V 18A ISOWATT
STMicroelectronics
0
现货
在售
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
18A（Tc）
10V
190 毫欧 @ 9A，10V
5V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±25V
1434 pF @ 100 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。