单 FET，MOSFET

结果 : 17
制造商
IXYSLittelfuse Inc.
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
150 V1000 V2000 V2200 V3000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Tc）600mA（Tc）1A（Tc）1.6A（Tc）2A（Tc）3A（Tc）4A（Tc）6A（Tc）36A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
110 毫欧 @ 18A，10V4 欧姆 @ 3A，10V4.2 欧姆 @ 3A，10V4.8 欧姆 @ 1.5A，10V8 欧姆 @ 1.5A，10V12.5 欧姆 @ 2A，10V21 欧姆 @ 1A，10V40 欧姆 @ 500mA，10V50 欧姆 @ 500mA，10V80 欧姆 @ 300mA，10V190 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.5V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.4 nC @ 10 V13 nC @ 10 V23.5 nC @ 10 V30.6 nC @ 10 V39 nC @ 10 V55 nC @ 10 V70 nC @ 10 V73 nC @ 10 V139 nC @ 10 V143 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
283 pF @ 25 V290 pF @ 25 V646 pF @ 25 V895 pF @ 25 V1100 pF @ 25 V1860 pF @ 25 V1890 pF @ 25 V3100 pF @ 25 V3680 pF @ 25 V3700 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
104W（Tc）125W（Tc）160W（Tc）195W（Tc）215W（Tc）300W（Tc）520W（Tc）960W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 155°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
ISOPLUS i4-PAC™TO-220-3TO-247（IXTH）TO-247HVTO-247PLUS-HVTO-263AATO-268HV（IXTT）
封装/外壳
ISOPLUSi5-PAK™TO-220-3TO-247-3TO-247-3 变式TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
17结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263AB
IXTA1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Littelfuse Inc.
1,812
现货
1 : ¥77.25000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
2000 V
1A（Tc）
10V
40 欧姆 @ 500mA，10V
4V @ 250µA
23.5 nC @ 10 V
±20V
646 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH1N200P3
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
IXYS
674
现货
1 : ¥69.45000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
2000 V
1A（Tc）
10V
40 欧姆 @ 500mA，10V
4V @ 250µA
23.5 nC @ 10 V
±20V
646 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247（IXTH）
TO-247-3
TO-220-3
IXTP3N100P
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Littelfuse Inc.
273
现货
1 : ¥36.94000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
3A（Tc）
10V
4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
4.5V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH3N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 3A TO247
IXYS
289
现货
570
工厂
1 : ¥259.00000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
2000 V
3A（Tc）
10V
8 欧姆 @ 1.5A，10V
5V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
1860 pF @ 25 V
-
520W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247（IXTH）
TO-247-3
TO-268
IXTT2N300P3HV
MOSFET N-CH 3000V 2A TO268
Littelfuse Inc.
200
现货
1 : ¥408.83000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
3000 V
2A（Tc）
10V
21 欧姆 @ 1A，10V
5V @ 250µA
73 nC @ 10 V
±20V
1890 pF @ 25 V
-
520W（Tc）
-55°C ~ 155°C（TJ）
表面贴装型
TO-268HV（IXTT）
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
TO 247 HV PLUS EP
IXTX6N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 6A TO247PLUSHV
Littelfuse Inc.
27
现货
1 : ¥547.15000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
2000 V
6A（Tc）
10V
4 欧姆 @ 3A，10V
5V @ 250µA
143 nC @ 10 V
±20V
3700 pF @ 25 V
-
960W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247PLUS-HV
TO-247-3 变式
TO 247 HV EP
IXTH1N300P3HV
MOSFET N-CH 3000V 1A TO247HV
Littelfuse Inc.
25
现货
1 : ¥293.07000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
3000 V
1A（Tc）
10V
50 欧姆 @ 500mA，10V
4V @ 250µA
30.6 nC @ 10 V
±20V
895 pF @ 25 V
-
195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247HV
TO-247-3 变式
TO 247 HV EP
IXTH2N300P3HV
MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥360.23000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
3000 V
2A（Tc）
10V
21 欧姆 @ 1A，10V
5V @ 250µA
73 nC @ 10 V
±20V
1890 pF @ 25 V
-
520W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247HV
TO-247-3 变式
TO-220-3
IXTP36P15P
MOSFET P-CH 150V 36A TO220AB
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥52.87000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
36A（Tc）
10V
110 毫欧 @ 18A，10V
4.5V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO 247 HV EP
IXTH1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥74.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
2000 V
1A（Tc）
10V
40 欧姆 @ 500mA，10V
4V @ 250µA
23.5 nC @ 10 V
±20V
646 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247HV
TO-247-3 变式
TO-268
IXTT1N300P3HV
MOSFET N-CH 3000V 1A TO268
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥320.41000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
3000 V
1A（Tc）
10V
50 欧姆 @ 500mA，10V
4V @ 250µA
30.6 nC @ 10 V
±20V
895 pF @ 25 V
-
195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-268HV（IXTT）
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
TO 247 HV PLUS EP
IXTX4N300P3HV
MOSFET N-CH 3000V 4A TO247PLUSHV
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥604.45000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
3000 V
4A（Tc）
10V
12.5 欧姆 @ 2A，10V
5V @ 250µA
139 nC @ 10 V
±20V
3680 pF @ 25 V
-
960W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247PLUS-HV
TO-247-3 变式
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH04N300P3HV
MOSFET N-CH 3000V 400MA TO247HV
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥200.14000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
3000 V
400mA（Tc）
10V
190 欧姆 @ 200mA，10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
283 pF @ 25 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247HV
TO-247-3 变式
TO-268
IXTT3N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 3A TO268
Littelfuse Inc.
5
现货
990
工厂
1 : ¥408.83000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
2000 V
3A（Tc）
10V
8 欧姆 @ 1.5A，10V
5V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
1860 pF @ 25 V
-
520W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-268HV（IXTT）
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC
IXTF6N200P3
MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC
IXYS
0
现货
查看交期
300 : ¥219.49717
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
2000 V
4A（Tc）
10V
4.2 欧姆 @ 3A，10V
5V @ 250µA
143 nC @ 10 V
±20V
3700 pF @ 25 V
-
215W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
ISOPLUS i4-PAC™
ISOPLUSi5-PAK™
MOSFET N-CH 3000V 1.6A I4PAC
IXTF2N300P3
MOSFET N-CH 3000V 1.6A I4PAC
IXYS
0
现货
查看交期
300 : ¥396.40393
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
3000 V
1.6A（Tc）
10V
21 欧姆 @ 1A，10V
5V @ 250µA
73 nC @ 10 V
±20V
1890 pF @ 25 V
-
160W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
ISOPLUS i4-PAC™
ISOPLUSi5-PAK™
TO 247 HV EP
IXTH06N220P3HV
MOSFET N-CH 2200V 600MA TO247HV
IXYS
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
2200 V
600mA（Tc）
10V
80 欧姆 @ 300mA，10V
4V @ 250µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
290 pF @ 25 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247HV
TO-247-3 变式
显示
/ 17

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。