单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
onsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronics
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
650 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）20A（Tc）36A（Tc）38A（Tc）40A（Tc）45A（Tc）55A（Tc）91A（Tc）95A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V，18V18V18V，20V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 欧姆 @ 40A，18V26 毫欧 @ 50A，18V30 毫欧 @ 50A，18V50 毫欧 @ 25A，18V67毫欧 @ 20A，20V78 毫欧 @ 13A，18V100 欧姆 @ 20A，18V239毫欧 @ 10A，20V690 毫欧 @ 6A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 1mA3.5V @ 250µA4.3V @ 8mA4.9V @ 1mA5V @ 1mA5V @ 5mA5.6V @ 6.67mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 20 V45 nC @ 20 V58 nC @ 18 V61 nC @ 18 V73 nC @ 20 V105 nC @ 18 V150 nC @ 18 V157 nC @ 18 V162 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+22V，-10V+22V，-4V+22V，-8V+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
290 pF @ 400 V650 pF @ 400 V852 pF @ 500 V1233 pF @ 800 V1370 pF @ 400 V1870 pF @ 325 V3315 pF @ 520 V3380 pF @ 400 V3540 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
150W（Tc）153W（Tc）159W187W（Tc）208W（Tc）238W（Tc）240W（Tc）360W（Tc）547W（Tc）935W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-55°C ~ 200°C（TJ）175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-TDFN（8x8）H2PAK-7HiP247™PowerFlat™（8x8）HVTO-263-7
封装/外壳
4-PowerTSFN8-PowerVDFNTO-247-3TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
NTMT045N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
onsemi
303
现货
51,000
工厂
1 : ¥97.62000
剪切带（CT）
3,000 : ¥51.87927
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
55A（Tc）
15V，18V
50 毫欧 @ 25A，18V
4.3V @ 8mA
105 nC @ 18 V
+22V，-8V
1870 pF @ 325 V
-
187W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
4-TDFN（8x8）
4-PowerTSFN
TO-247-3 HiP
SCTW70N120G2V
TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
STMicroelectronics
588
现货
1 : ¥359.18000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
91A（Tc）
18V
30 毫欧 @ 50A，18V
4.9V @ 1mA
150 nC @ 18 V
+22V，-10V
3540 pF @ 800 V
-
547W（Tc）
-55°C ~ 200°C（TJ）
-
-
通孔
HiP247™
TO-247-3
TO-263-7
SCTH35N65G2V-7
SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
STMicroelectronics
1,704
现货
1 : ¥126.43000
剪切带（CT）
1,000 : ¥80.06566
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
45A（Tc）
18V，20V
67毫欧 @ 20A，20V
5V @ 1mA
73 nC @ 20 V
+22V，-10V
1370 pF @ 400 V
-
208W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
H2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
SCT3series
SCT3060AW7TL
SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
Rohm Semiconductor
1,189
现货
1 : ¥105.33000
剪切带（CT）
1,000 : ¥88.27668
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
38A（Tc）
-
78 毫欧 @ 13A，18V
5.6V @ 6.67mA
58 nC @ 18 V
+22V，-4V
852 pF @ 500 V
-
159W
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
8 Power VDFN
SCTL90N65G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
STMicroelectronics
2,740
现货
1 : ¥288.50000
剪切带（CT）
3,000 : ¥185.01980
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
40A（Tc）
18V
24 欧姆 @ 40A，18V
5V @ 1mA
157 nC @ 18 V
+22V，-10V
3380 pF @ 400 V
-
935W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerFlat™（8x8）HV
8-PowerVDFN
TO-247-3 HiP
SCT20N120AG
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
STMicroelectronics
43
现货
1 : ¥160.09000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
20A（Tc）
20V
239毫欧 @ 10A，20V
3.5V @ 1mA
45 nC @ 20 V
+25V，-10V
650 pF @ 400 V
-
153W（Tc）
-55°C ~ 200°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
HiP247™
TO-247-3
TO-247-3 HiP
SCT10N120AG
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥80.95000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
12A（Tc）
20V
690 毫欧 @ 6A，20V
3.5V @ 250µA
22 nC @ 20 V
+25V，-10V
290 pF @ 400 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 200°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
HiP247™
TO-247-3
TO-247-3 HiP
SCTW35N65G2VAG
SICFET N-CH 650V 45A HIP247
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥144.49000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
45A（Tc）
18V，20V
67毫欧 @ 20A，20V
5V @ 1mA
73 nC @ 20 V
+22V，-10V
1370 pF @ 400 V
-
240W（Tc）
-55°C ~ 200°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
HiP247™
TO-247-3
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
SCTH40N120G2V-7
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥160.09000
剪切带（CT）
1,000 : ¥101.41651
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
36A（Tc）
18V
100 欧姆 @ 20A，18V
4.9V @ 1mA
61 nC @ 18 V
+22V，-10V
1233 pF @ 800 V
-
238W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
H2PAK-7
-
SCTH35N65G2V-7AG
SCTH35N65G2V-7AG
SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥131.60000
剪切带（CT）
1,000 : ¥83.37416
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
45A（Tc）
18V，20V
67毫欧 @ 20A，20V
5V @ 1mA
73 nC @ 20 V
+22V，-10V
1370 pF @ 400 V
-
208W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
H2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
TO-263-7
SCTH100N65G2-7AG
SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥282.75000
剪切带（CT）
1,000 : ¥184.57236
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
95A（Tc）
18V
26 毫欧 @ 50A，18V
5V @ 5mA
162 nC @ 18 V
+22V，-10V
3315 pF @ 520 V
-
360W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
H2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
显示
/ 11

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。