单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Rohm SemiconductorSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ P7HiPerFET™, Ultra X2MDmesh™ V
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A（Tc）33A（Tc）34A（Tc）35A（Tc）37A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
78 毫欧 @ 17.5A，10V78 毫欧 @ 19.5A，10V80 毫欧 @ 11.8A，10V98 毫欧 @ 16.5A，10V99 毫欧 @ 18A，10V105 毫欧 @ 17A，10V115 毫欧 @ 18.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 1.2mA4V @ 250µA4V @ 590µA5V @ 1.3mA5V @ 250µA5.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
51 nC @ 10 V56 nC @ 10 V72 nC @ 10 V80 nC @ 10 V82 nC @ 10 V91 nC @ 10 V155 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2180 pF @ 400 V2800 pF @ 100 V3000 pF @ 25 V3330 pF @ 25 V3375 pF @ 100 V3454 pF @ 100 V3470 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
57W（Tc）129W（Tc）210W（Tc）255W（Tc）278W（Tc）370W（Tc）540W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO220-3TO-220TO-220-3TO-220ABTO-247-3TO-3PF
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3TO-3P-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
显示
/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
STP45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
STMicroelectronics
825
现货
1 : ¥64.53000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
35A（Tc）
10V
78 毫欧 @ 19.5A，10V
5V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
210W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-247-3 HiP
STW45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
STMicroelectronics
1,560
现货
1 : ¥68.96000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
35A（Tc）
10V
78 毫欧 @ 19.5A，10V
5V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±20V
3375 pF @ 100 V
-
210W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-3
IPP60R099CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Infineon Technologies
1,039
现货
1 : ¥66.99000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
31A（Tc）
10V
99 毫欧 @ 18A，10V
3.5V @ 1.2mA
80 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 100 V
-
255W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-220-3
IXFP34N65X2
MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Littelfuse Inc.
1,050
现货
1 : ¥55.82000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
34A（Tc）
10V
105 毫欧 @ 17A，10V
5.5V @ 2.5mA
56 nC @ 10 V
±30V
3330 pF @ 25 V
-
540W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220AB
SIHP33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Vishay Siliconix
1,000
现货
1 : ¥35.38000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
33A（Tc）
10V
98 毫欧 @ 16.5A，10V
4V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±30V
3454 pF @ 100 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
IPP60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥40.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
37A（Tc）
10V
80 毫欧 @ 11.8A，10V
4V @ 590µA
51 nC @ 10 V
±20V
2180 pF @ 400 V
-
129W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
R6014YNX3C16
R6535KNX3C16
650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Rohm Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥54.18000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
35A（Tc）
10V
115 毫欧 @ 18.1A，10V
5V @ 1.3mA
72 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 25 V
-
370W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-3P-3 Full Pack
STFW45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A ISOWATT
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
300 : ¥48.36620
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
35A（Tc）
10V
78 毫欧 @ 17.5A，10V
5V @ 250µA
82 nC @ 10 V
±25V
3470 pF @ 100 V
-
57W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。