单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™ C7CoolMOS™ P7DTMOSIVE
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
28A（Tc）29A（Tc）30.8A（Ta）32A（Tc）41A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
65 毫欧 @ 15.9A，10V70 毫欧 @ 8.5A，10V80 毫欧 @ 17A，10V80 毫欧 @ 8A，6V109 毫欧 @ 15.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 30.7mA4V @ 800µA4V @ 850µA4.5V @ 1.5mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.2 nC @ 6 V63 nC @ 10 V64 nC @ 10 V67 nC @ 10 V68 nC @ 10 V105 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+7V，-6V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
225 pF @ 400 V2557 pF @ 100 V2850 pF @ 400 V2895 pF @ 400 V3000 pF @ 300 V3020 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
169W（Tc）180W（Tc）184W（Tc）201W（Tc）240W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TA）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
4-DFN-EP（8x8）DFN8080-8PG-VSON-4PG-VSON-4-1PowerPAK® 8 x 8
封装/外壳
4-PowerTSFN4-VSFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-VDFN 裸露焊盘
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
显示
/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
1,801
现货
1 : ¥32.92000
剪切带（CT）
2,500 : ¥16.04581
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
30.8A（Ta）
10V
109 毫欧 @ 15.4A，10V
4.5V @ 1.5mA
105 nC @ 10 V
±30V
3000 pF @ 300 V
-
240W（Tc）
150°C（TA）
-
-
表面贴装型
4-DFN-EP（8x8）
4-VSFN 裸露焊盘
PG-VSON-4
IPL65R070C7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON
Infineon Technologies
6,664
现货
1 : ¥66.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥35.55574
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
28A（Tc）
10V
70 毫欧 @ 8.5A，10V
4V @ 850µA
64 nC @ 10 V
±20V
3020 pF @ 100 V
-
169W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
PowerPAK 8 x 8
SIHH080N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Vishay Siliconix
3,107
现货
1 : ¥40.47000
剪切带（CT）
3,000 : ¥19.69254
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
32A（Tc）
10V
80 毫欧 @ 17A，10V
5V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±30V
2557 pF @ 100 V
-
184W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
8-PowerTDFN
PG-VSON-4
IPL60R065P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON
Infineon Technologies
10,773
现货
1 : ¥55.50000
剪切带（CT）
3,000 : ¥29.49080
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
41A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 15.9A，10V
4V @ 800µA
67 nC @ 10 V
±20V
2895 pF @ 400 V
-
201W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
5,100
现货
1 : ¥64.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥34.50471
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
29A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 15.9A，10V
4V @ 800µA
68 nC @ 10 V
±20V
2850 pF @ 400 V
-
180W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-VSON-4-1
4-PowerTSFN
GAN080-650EBEZ
GAN080-650EBEZ
650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Nexperia USA Inc.
1,970
现货
1 : ¥72.33000
剪切带（CT）
2,500 : ¥27.48210
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
29A（Tc）
6V
80 毫欧 @ 8A，6V
2.5V @ 30.7mA
6.2 nC @ 6 V
+7V，-6V
225 pF @ 400 V
-
240W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装，可润湿侧翼
DFN8080-8
8-VDFN 裸露焊盘
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。