单双极晶体管

结果 : 5
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
25 mA100 mA200 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40 V45 V60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
300mV @ 3mA,50mA350mV @ 100µA,1mA600mV @ 5mA,100mA-
电流 - 集电极截止(最大值)
10nA(ICBO)100nA100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
67 @ 1mA,10V75 @ 2mA,4.5V250 @ 1mA,5V500 @ 100µA,5V
功率 - 最大值
225 mW250 mW
频率 - 跃迁
380MHz700MHz-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)TO-236AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 23-3
MMBT6429LT1G
TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
onsemi
20,495
现货
1 : ¥1.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.24724
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售NPN200 mA45 V600mV @ 5mA,100mA100nA500 @ 100µA,5V225 mW700MHz-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-236-3,SC-59,SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)
SOT 23-3
MMBT2484LT1G
TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3
onsemi
256,045
现货
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.29502
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售NPN100 mA60 V350mV @ 100µA,1mA10nA(ICBO)250 @ 1mA,5V225 mW--55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-236-3,SC-59,SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)
SOT 23-3
MMBT3416LT3G
TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3
onsemi
16,886
现货
1 : ¥1.40000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.19568
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售NPN100 mA40 V300mV @ 3mA,50mA100nA(ICBO)75 @ 2mA,4.5V225 mW--55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-236-3,SC-59,SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)
TO-236AB
BF840,215
TRANS NPN 40V 0.025A TO236AB
Nexperia USA Inc.
8,968
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.73668
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售NPN25 mA40 V-100nA(ICBO)67 @ 1mA,10V250 mW380MHz150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-236AB
TO-236AB
BF840,235
TRANS NPN 40V 0.025A TO236AB
Nexperia USA Inc.
10,000
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.80369
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售NPN25 mA40 V-100nA(ICBO)67 @ 1mA,10V250 mW380MHz150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-236AB
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单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。