单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Littelfuse Inc.Vishay Siliconix
系列
-HiPerFET™, Polar
漏源电压（Vdss）
600 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
27A（Tc）32A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
220 毫欧 @ 16A，10V270 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
150 nC @ 10 V180 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4660 pF @ 25 V8800 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
500W（Tc）830W（Tc）
供应商器件封装
PLUS247™-3TO-247AC
封装/外壳
TO-247-3TO-247-3 变式
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
IRFP27N60KPBF
MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3
Vishay Siliconix
3,955
现货
1 : ¥77.42000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
27A（Tc）
10V
220 毫欧 @ 16A，10V
5V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±30V
4660 pF @ 25 V
-
500W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247 Plus X
IXFX32N80P
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
300 : ¥97.78617
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
32A（Tc）
10V
270 毫欧 @ 16A，10V
5V @ 8mA
150 nC @ 10 V
±30V
8800 pF @ 25 V
-
830W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。