单 FET，MOSFET

结果 : 11
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
40 V60 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）5A（Ta）8.5A（Ta）10A（Ta）14A（Ta）32A（Ta）48A（Ta）60A（Ta）64A（Ta）90A（Ta）101A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8毫欧 @ 50A，5V2.2 毫欧 @ 30A，5V2.2 毫欧 @ 31A，5V3.2 毫欧 @ 25A，5V8 毫欧 @ 20A，5V16 毫欧 @ 10A，5V22 毫欧 @ 14A，5V42 毫欧 @ 7A，5V100 毫欧 @ 3A，5V550 毫欧 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1.5mA2.5V @ 13mA2.5V @ 14mA2.5V @ 16mA2.5V @ 1mA2.5V @ 2mA2.5V @ 6mA2.5V @ 7mA2.5V @ 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.12 nC @ 5 V1.3 nC @ 5 V2.5 nC @ 5 V2.9 nC @ 5 V5.9 nC @ 5 V11 nC @ 5 V16 nC @ 5 V16.3 nC @ 5 V17.7 nC @ 5 V23 nC @ 5 V26 nC @ 5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14 pF @ 50 V140 pF @ 100 V288 pF @ 100 V300 pF @ 20 V600 pF @ 100 V1140 pF @ 100 V1780 pF @ 30 V1790 pF @ 100 V2703 pF @ 50 V3200 pF @ 50 V3931 pF @ 50 V
供应商器件封装
7-QFN（3x5）模具
封装/外壳
7-PowerWQFN模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
4,614
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.64032
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
1.7A（Ta）
5V
550 毫欧 @ 100mA，5V
2.5V @ 80µA
0.12 nC @ 5 V
+6V，-4V
14 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2014C
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
EPC
52,748
现货
1 : ¥13.13000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.43255
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
40 V
10A（Ta）
5V
16 毫欧 @ 10A，5V
2.5V @ 2mA
2.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
300 pF @ 20 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
EPC
14,954
现货
1 : ¥19.57000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.82209
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
14A（Ta）
5V
22 毫欧 @ 14A，5V
2.5V @ 2mA
5.9 nC @ 5 V
+6V，-4V
600 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC
94,840
现货
1 : ¥22.41000
剪切带（CT）
1,000 : ¥14.87944
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
8.5A（Ta）
5V
42 毫欧 @ 7A，5V
2.5V @ 1.5mA
2.9 nC @ 5 V
+6V，-4V
288 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
10,272
现货
1 : ¥23.97000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.80705
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
5A（Ta）
5V
100 毫欧 @ 3A，5V
2.5V @ 1mA
1.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
140 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
EPC
19,800
现货
1 : ¥49.34000
剪切带（CT）
1,000 : ¥27.98361
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
60A（Ta）
5V
3.2 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 7mA
16.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
2703 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
EPC
33,114
现货
1 : ¥52.29000
剪切带（CT）
2,500 : ¥27.79498
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
32A（Ta）
5V
8 毫欧 @ 20A，5V
2.5V @ 6mA
17.7 nC @ 5 V
+6V，-4V
1790 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC2302
EPC2302
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
EPC
37,454
现货
1 : ¥54.26000
剪切带（CT）
3,000 : ¥36.28548
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
101A（Ta）
5V
1.8毫欧 @ 50A，5V
2.5V @ 14mA
23 nC @ 5 V
+6V，-4V
3200 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
EPC2071
EPC2071
TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
EPC
579
现货
1 : ¥54.51000
剪切带（CT）
1,000 : ¥28.17103
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
64A（Ta）
5V
2.2 毫欧 @ 30A，5V
2.5V @ 13mA
26 nC @ 5 V
+6V，-4V
3931 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2020
GANFET N-CH 60V 90A DIE
EPC
3,466
现货
1 : ¥67.48000
剪切带（CT）
500 : ¥42.53510
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
60 V
90A（Ta）
5V
2.2 毫欧 @ 31A，5V
2.5V @ 16mA
16 nC @ 5 V
+6V，-4V
1780 pF @ 30 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2034C
GANFET N-CH 200V 48A DIE
EPC
24,413
现货
1 : ¥75.97000
剪切带（CT）
500 : ¥47.88308
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
48A（Ta）
5V
8 毫欧 @ 20A，5V
2.5V @ 7mA
11 nC @ 5 V
+6V，-4V
1140 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
显示
/ 11

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。