单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.3A（Ta）11A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.9 毫欧 @ 11A，10V12 毫欧 @ 12A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25.1 nC @ 10 V30.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1276 pF @ 15 V1415 pF @ 15 V
FET 功能
-肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）1.55W（Ta）
库存选项
环境选项
媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8 SO
DMN3016LSS-13
MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO
Diodes Incorporated
11,523
现货
92,500
工厂
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.45168
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET（金属氧化物）30 V10.3A（Ta）4.5V，10V12 毫欧 @ 12A，10V2.5V @ 250µA25.1 nC @ 10 V±20V1415 pF @ 15 V-1.5W（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型8-SO8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8 SO
DMS3015SSS-13
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Diodes Incorporated
41,733
现货
40,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.22053
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET（金属氧化物）30 V11A（Ta）4.5V，10V11.9 毫欧 @ 11A，10V2.5V @ 250µA30.6 nC @ 10 V±12V1276 pF @ 15 V肖特基二极管（体）1.55W（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型8-SO8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。