单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-MDmesh™ II
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Tc）20A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
250 毫欧 @ 12A，10V250 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1000 pF @ 50 V2870 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
110W（Tc）280W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220TO-220AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB
IRFB20N50KPBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Vishay Siliconix
792
现货
1 : ¥41.29000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
20A（Tc）
10V
250 毫欧 @ 12A，10V
5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±30V
2870 pF @ 25 V
-
280W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
STP19NM50N
MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
STMicroelectronics
972
现货
1 : ¥32.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
14A（Tc）
10V
250 毫欧 @ 7A，10V
4V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1000 pF @ 50 V
-
110W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。