IGBT 阵列

结果 : 4
系列
-ISOPLUS™
包装
卷带（TR）管件
IGBT 类型
-PT
配置
全桥半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V2500 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
23 A63 A
功率 - 最大值
100 W230 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.15V @ 15V，35A3.1V @ 15V，20A
电流 - 集电极截止（最大值）
10 µA150 µA
封装/外壳
9-SMD 模块24-SMD 模块（9 引线）
供应商器件封装
24-SMPDISOPLUS-SMPD™.B
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
IGBT F BRIDGE 2500V 23A 24SMPD
MMIX4G20N250
IGBT F BRIDGE 2500V 23A 24SMPD
IXYS
18
现货
1 : ¥903.63000
管件
-
管件
在售-全桥2500 V23 A100 W3.1V @ 15V，20A10 µA1.19 nF @ 15 V标准无-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型24-SMD 模块（9 引线）24-SMPD
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXA40RG1200DHG-TRR
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXYS
0
现货
查看交期
200 : ¥132.09285
卷带（TR）
卷带（TR）
在售PT半桥1200 V63 A230 W2.15V @ 15V，35A150 µA-标准无-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型9-SMD 模块ISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXA40PG1200DHG-TRR
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXYS
0
现货
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200 : ¥188.04280
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售PT半桥1200 V63 A230 W2.15V @ 15V，35A150 µA-标准无-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型9-SMD 模块ISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXA40PG1200DHG-TUB
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXYS
0
现货
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20 : ¥219.77800
管件
-
管件
在售PT半桥1200 V63 A230 W2.15V @ 15V，35A150 µA-标准无-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型9-SMD 模块ISOPLUS-SMPD™.B
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IGBT 阵列

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是高效且快速切换的三端功率半导体器件，主要用作电子开关。这些器件用于变频驱动器 (VFD)、电动汽车、火车、灯镇流器和空调等大功率应用中的开关电源，并可用于开关放大器——音响系统和工业控制系统。IGBT 阵列在一个封装中包含多个器件，并且采用全桥或半桥配置。