RF FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
CELToshiba Semiconductor and Storage
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
技术
MOSFET(金属氧化物)pHEMT FET
频率
800MHz12GHz
增益
12.2dB22dB
电压 - 测试
2 V6 V
额定电流(安培)
30mA68mA
噪声系数
0.62dB2.5dB
电流 - 测试
10 mA15 mA
功率 - 输出
125mW-
电压 - 额定
4 V12.5 V
封装/外壳
4-SMD,扁平引线SC-82A,SOT-343
供应商器件封装
4 个超微型模具USQ
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

显示
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
频率
增益
电压 - 测试
额定电流(安培)
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
26,256
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.24006
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 通道双门
800MHz
22dB
6 V
30mA
2.5dB
10 mA
-
12.5 V
-
-
表面贴装型
SC-82A,SOT-343
USQ
Flat Lead 4-Pin Thin-Type Super Minimold
CE3514M4-C2
RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MINIMOLD
CEL
74,807
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
15,000 : ¥2.65326
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
pHEMT FET
-
12GHz
12.2dB
2 V
68mA
0.62dB
15 mA
125mW
4 V
-
-
-
4-SMD,扁平引线
4 个超微型模具
显示
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RF FET,MOSFET


射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。