IGBT 模块

结果 : 14
制造商
Infineon TechnologiesIXYSMicrochip TechnologySTMicroelectronicsVishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-CGenX3™HEXFRED®POWER MOS 7®PowerMESH™Thunderbolt IGBT®XPT™XPT™, GenX3™
包装
托盘管件
IGBT 类型
-NPTPT沟槽型场截止沟道
配置
半桥单斩波器单路
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V1200 V1700 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
68 A75 A124 A150 A160 A170 A200 A210 A240 A281 A300 A320 A
功率 - 最大值
291 W329 W379 W600 W735 W830 W1087 W1100 W1200 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.25V @ 15V,100A1.5V @ 15V,100A1.6V @ 15V,100A2.05V @ 15V,100A2.1V @ 15V,75A2.15V @ 15V,200A2.4V @ 15V,110A2.5V @ 15V,85A2.8V @ 15V,50A3V @ 15V,100A3.2V @ 15V,120A3.7V @ 15V,150A3.9V @ 15V,45A
电流 - 集电极截止(最大值)
25 µA50 µA100 µA150 µA200 µA500 µA750 µA5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
1.56 nF @ 25 V4 nF @ 25 V4030 pF @ 25 V4.8 nF @ 25 V5420 pF @ 25 V9.22 nF @ 25 V9.3 nF @ 25 V9.35 nF @ 25 V14 nF @ 25 V18 nF @ 25 V26 nF @ 25 V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳
ISOTOPSOT-227-4,miniBLOC模块
供应商器件封装
ISOTOPISOTOP®SOT-227SOT-227B - miniBLOCSOT-227B模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果

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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿(最大值)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
322
现货
1 : ¥372.21000
管件
管件
在售沟槽型场截止单路1200 V281 A1087 W2.05V @ 15V,100A100 µA9.35 nF @ 25 V标准-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227
APT2X60D60J
APT75GN120JDQ3
IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP
Microchip Technology
177
现货
1 : ¥296.36000
管件
-
管件
在售沟槽型场截止单路1200 V124 A379 W2.1V @ 15V,75A200 µA4.8 nF @ 25 V标准-55°C ~ 150°C(TJ)底座安装ISOTOPISOTOP®
IXYK1x0xNxxxx
IXGN320N60A3
IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B
IXYS
1,404
现货
1 : ¥297.01000
管件
管件
在售PT单路600 V320 A735 W1.25V @ 15V,100A150 µA18 nF @ 25 V标准-55°C ~ 150°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227B
IXYK1x0xNxxxx
IXYN120N120C3
IGBT MOD 1200V 240A SOT227B
IXYS
211
现货
1 : ¥310.72000
管件
管件
在售-单路1200 V240 A1200 W3.2V @ 15V,120A25 µA-标准-55°C ~ 175°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227B - miniBLOC
IXYK1x0xNxxxx
IXGN100N170
IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B
IXYS
286
现货
1 : ¥477.37000
管件
-
管件
在售NPT单路1700 V160 A735 W3V @ 15V,100A50 µA9.22 nF @ 25 V标准-55°C ~ 150°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227B
217
现货
1 : ¥293.24000
管件
-
管件
在售沟槽型场截止单斩波器1200 V68 A291 W2.8V @ 15V,50A50 µA-标准-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227
129
现货
1 : ¥293.24000
管件
-
管件
在售沟槽型场截止单斩波器1200 V68 A291 W2.8V @ 15V,50A50 µA-标准-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227
1200V, 110A, XPT GEN4 C4 CO-PACK
IXYN110N120C4H1
1200V, 110A, XPT GEN4 C4 CO-PACK
IXYS
281
现货
1 : ¥371.06000
管件
管件
在售沟道单路1200 V210 A830 W2.4V @ 15V,110A50 µA5420 pF @ 25 V标准-55°C ~ 175°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227B
APT2X60D60J
APT45GP120JDQ2
IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP
Microchip Technology
116
现货
1 : ¥354.73000
管件
管件
在售PT单路1200 V75 A329 W3.9V @ 15V,45A750 µA4 nF @ 25 V标准-55°C ~ 150°C(TJ)底座安装ISOTOPISOTOP®
IGBT MODULE C SERIES
FF200R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 240A 1100W
Infineon Technologies
9
现货
1 : ¥916.33000
托盘
托盘
在售沟槽型场截止半桥1200 V240 A1100 W2.15V @ 15V,200A5 mA14 nF @ 25 V标准-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装模块模块
ISOTOP
STGE200NB60S
IGBT MOD 600V 200A 600W ISOTOP
STMicroelectronics
99
现货
1 : ¥271.15000
管件
管件
在售-单路600 V200 A600 W1.6V @ 15V,100A500 µA1.56 nF @ 25 V标准-55°C ~ 150°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCISOTOP
IXYK1x0xNxxxx
IXGN200N60B3
IGBT MOD 600V 300A 830W SOT227B
IXYS
7
现货
1 : ¥356.78000
管件
管件
在售PT单路600 V300 A830 W1.5V @ 15V,100A50 µA26 nF @ 25 V标准-55°C ~ 150°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227B
1200V, 85A, XPT GEN4 C4 CO-PACK
IXYN85N120C4H1
1200V, 85A, XPT GEN4 C4 CO-PACK
IXYS
0
现货
查看交期
1 : ¥304.07000
管件
管件
在售沟道单路1200 V150 A600 W2.5V @ 15V,85A50 µA4030 pF @ 25 V标准-55°C ~ 175°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227B
APT2X60D60J
APT150GT120JR
IGBT MOD 1200V 170A 830W ISOTOP
Microchip Technology
0
现货
查看交期
10 : ¥519.65200
管件
管件
在售NPT单路1200 V170 A830 W3.7V @ 15V,150A150 µA9.3 nF @ 25 V标准-55°C ~ 150°C(TJ)底座安装ISOTOPISOTOP®
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IGBT 模块


绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。