单 FET，MOSFET

结果 : 17
制造商
Infineon TechnologiesonsemiRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageWolfspeed, Inc.
系列
-C3M™CoolSiC™
漏源电压（Vdss）
650 V750 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Tc）22A（Tc）24A（Tc）30A（Tc）34A（Tc）39A（Tc）49A（Tc）70A（Tc）93A（Tc）95A（Tc）99A（Tc）100A（Tc）105A（Tc）105A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V15V，18V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16.9 毫欧 @ 58A，18V21 毫欧 @ 50A，18V28.5 毫欧 @ 45A，18V28.6 毫欧 @ 36A，18V39 毫欧 @ 27A，18V59 毫欧 @ 17A，18V60 毫欧 @ 17.6A，15V78 毫欧 @ 13A，18V104 毫欧 @ 10A，18V111 毫欧 @ 11.2A，18V156 毫欧 @ 6.7A，18V157 毫欧 @ 6.76A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.6V @ 1.86mA3.6V @ 4.84mA4.3V @ 15.5mA4.8V @ 30.8mA4.8V @ 8.89mA5V @ 11.7mA5.6V @ 13.3mA5.6V @ 18.2mA5.6V @ 3.33mA5.6V @ 5mA5.6V @ 6.67mA5.7V @ 3.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19 nC @ 18 V28 nC @ 15 V38 nC @ 18 V48 nC @ 18 V58 nC @ 18 V63 nC @ 15 V63 nC @ 18 V104 nC @ 18 V128 nC @ 18 V133 nC @ 18 V164 nC @ 18 V170 nC @ 18 V178 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+19V，-8V+20V，-2V+21V，-4V+22V，-4V+22V，-8V+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
460 pF @ 500 V571 pF @ 500 V624 pF @ 400 V640 pF @ 400 V852 pF @ 500 V1460 pF @ 500 V1526 pF @ 500 V1621 pF @ 600 V2208 pF @ 500 V2879 pF @ 800 V3480 pF @ 325 V4580 pF @ 500 V4850 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
98W（Tc）103W（Tc）104W（Tc）115W134W134W（Tc）165W165W（Tc）176W（Tc）262W262W（Tc）312W339W342W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）175°C175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO247-3-41TO-247TO-247-3TO-247-4LTO-247N
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
17结果
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/ 17
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247N
SCT3120ALGC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Rohm Semiconductor
6,315
现货
1 : ¥72.24000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
21A（Tc）
18V
156 毫欧 @ 6.7A，18V
5.6V @ 3.33mA
38 nC @ 18 V
+22V，-4V
460 pF @ 500 V
-
103W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3030ALGC11
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Rohm Semiconductor
9,088
现货
1 : ¥245.79000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
70A（Tc）
18V
39 毫欧 @ 27A，18V
5.6V @ 13.3mA
104 nC @ 18 V
+22V，-4V
1526 pF @ 500 V
-
262W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
C2D10120D
C3M0120065D
650V 120M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
461
现货
1 : ¥77.33000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
22A（Tc）
15V
157 毫欧 @ 6.76A，15V
3.6V @ 1.86mA
28 nC @ 15 V
+19V，-8V
640 pF @ 400 V
-
98W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C3M0045065D
GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
461
现货
1 : ¥161.56000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
49A（Tc）
15V
60 毫欧 @ 17.6A，15V
3.6V @ 4.84mA
63 nC @ 15 V
+19V，-8V
1621 pF @ 600 V
-
176W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
NTHL025N065SC1
SIC MOS TO247-3L 650V
onsemi
178
现货
1 : ¥162.71000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
99A（Tc）
15V，18V
28.5 毫欧 @ 45A，18V
4.3V @ 15.5mA
164 nC @ 18 V
+22V，-8V
3480 pF @ 325 V
-
348W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247N
SCT4013DEC11
750V, 105A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
366
现货
1 : ¥298.25000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
750 V
105A（Tj）
18V
16.9 毫欧 @ 58A，18V
4.8V @ 30.8mA
170 nC @ 18 V
+21V，-4V
4580 pF @ 500 V
-
312W
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247-3
SCT3080ALGC11
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Rohm Semiconductor
1,396
现货
1 : ¥98.27000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
30A（Tc）
18V
104 毫欧 @ 10A，18V
5.6V @ 5mA
48 nC @ 18 V
+22V，-4V
571 pF @ 500 V
-
134W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DRHRC15
SCT4045DRC15
750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
4,859
现货
1 : ¥116.08000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
750 V
34A（Tc）
18V
59 毫欧 @ 17A，18V
4.8V @ 8.89mA
63 nC @ 18 V
+21V，-4V
1460 pF @ 500 V
-
115W
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247N
SCT3080ALHRC11
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Rohm Semiconductor
454
现货
1 : ¥166.49000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
30A（Tc）
18V
104 毫欧 @ 10A，18V
5.6V @ 5mA
48 nC @ 18 V
+22V，-4V
571 pF @ 500 V
-
134W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3030ALHRC11
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Rohm Semiconductor
445
现货
1 : ¥296.03000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
70A（Tc）
18V
39 毫欧 @ 27A，18V
5.6V @ 13.3mA
104 nC @ 18 V
+22V，-4V
1526 pF @ 500 V
-
262W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3022ALHRC11
SICFET N-CH 650V 93A TO247N
Rohm Semiconductor
2,246
现货
1 : ¥575.64000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
93A（Tc）
18V
28.6 毫欧 @ 36A，18V
5.6V @ 18.2mA
133 nC @ 18 V
+22V，-4V
2208 pF @ 500 V
-
339W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
TW015N65C,S1F
TW015N65C,S1F
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
Toshiba Semiconductor and Storage
64
现货
1 : ¥424.83000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
100A（Tc）
18V
21 毫欧 @ 50A，18V
5V @ 11.7mA
128 nC @ 18 V
+25V，-10V
4850 pF @ 400 V
-
342W（Tc）
175°C
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
IMW65R039M1HXKSA1
IMW65R083M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Infineon Technologies
60
现货
1 : ¥72.16000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
24A（Tc）
18V
111 毫欧 @ 11.2A，18V
5.7V @ 3.3mA
19 nC @ 18 V
+20V，-2V
624 pF @ 400 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-247N
SCT3060ALGC11
SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Rohm Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥111.98000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
39A（Tc）
18V
78 毫欧 @ 13A，18V
5.6V @ 6.67mA
58 nC @ 18 V
+22V，-4V
852 pF @ 500 V
-
165W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3022KLGC11
SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Rohm Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥413.42000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
95A（Tc）
18V
28.6 毫欧 @ 36A，18V
5.6V @ 18.2mA
178 nC @ 10 V
+22V，-4V
2879 pF @ 800 V
-
427W
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DRHRC15
SCT4013DRC15
750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥331.90000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
750 V
105A（Tc）
18V
16.9 毫欧 @ 58A，18V
4.8V @ 30.8mA
170 nC @ 18 V
+21V，-4V
4580 pF @ 500 V
-
312W
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247N
SCT3060ALHRC11
SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Rohm Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥199.90000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
39A（Tc）
18V
78 毫欧 @ 13A，18V
5.6V @ 6.67mA
58 nC @ 18 V
+22V，-4V
852 pF @ 500 V
-
165W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
显示
/ 17

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。