FET、MOSFET 阵列

结果 : 10
制造商
Rohm SemiconductorWolfspeed, Inc.
包装
散装
配置
2 N-通道(双)2 个 N 通道(半桥)-
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)1700V(1.7kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310A320A(Tc)395A(Tc)417A(Tc)450A(Tc)532A(Tc)600A(Tc)630A(Tc)916A(Tc)1.015kA(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.73 毫欧 @ 760A,15V1.86 毫欧 @ 650A,15V3.47 毫欧 @ 530A,15V3.7 毫欧 @ 450A,15V3.74 毫欧 @ 380A,15V5.2 毫欧 @ 350A,15V5.3毫欧 @ 400A,15V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.6V @ 127mA3.6V @ 132mA3.6V @ 152mA3.6V @ 280mA3.6V @ 305mA3.6V @ 85mA3.6V @ 92mA5.6V @ 182mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
844nC @ 15V908nC @ 15V1330nC @ 15V1362nC @ 15V1494nC @ 15V2724nC @ 15V2988nC @ 15V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2450pF @ 800V4700pF @ 1200V25700pF @ 800V31000pF @ 10V38000pF @ 800V38900pF @ 800V79400pF @ 800V97300pF @ 1200V-
功率 - 最大值
2450W(Tc)-
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)-
供应商器件封装
-模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果

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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
CAB450M12XM3
CAB400M12XM3
MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE
Wolfspeed, Inc.
16
现货
1 : ¥5,722.69000
-
在售
碳化硅(SiC)
2 N-通道(双)
-
1200V(1.2kV)
395A(Tc)
5.3毫欧 @ 400A,15V
3.6V @ 92mA
908nC @ 15V
2450pF @ 800V
-
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
-
BSM600D12P3G001
BSM600D12P3G001
SIC 2N-CH 1200V 600A MODULE
Rohm Semiconductor
4
现货
1 : ¥15,038.03000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
600A(Tc)
-
5.6V @ 182mA
-
31000pF @ 10V
2450W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
模块
CAS480M12HM3
CAB760M12HM3R
SIC 2N-CH 1200V 1.015KA MODUL
Wolfspeed, Inc.
3
现货
1 : ¥23,157.27000
-
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
1.015kA(Tc)
1.73 毫欧 @ 760A,15V
3.6V @ 280mA
2724nC @ 15V
79400pF @ 800V
-
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
模块
CAS480M12HM3
CAB650M17HM3
SIC 2N-CH 1700V 916A MODULE
Wolfspeed, Inc.
2
现货
1 : ¥36,513.42000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
2 N-通道(双)
-
1700V(1.7kV)
916A(Tc)
1.86 毫欧 @ 650A,15V
3.6V @ 305mA
2988nC @ 15V
97300pF @ 1200V
-
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
模块
5
现货
1 : ¥10,036.65000
-
在售
碳化硅(SiC)
-
-
1700V(1.7kV)
310A
-
-
-
-
-
-
底座安装
模块
-
EAB450M12XM3
EAB450M12XM3
SIC 2N-CH 1200V 450A
Wolfspeed, Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥9,225.85000
-
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
450A(Tc)
3.7 毫欧 @ 450A,15V
3.6V @ 132mA
1330nC @ 15V
38000pF @ 800V
-
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
-
CAS480M12HM3
CAS380M17HM3
SIC 2N-CH 1700V 532A MODULE
Wolfspeed, Inc.
1
现货
1 : ¥34,050.46000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
2 N-通道(双)
-
1700V(1.7kV)
532A(Tc)
3.74 毫欧 @ 380A,15V
3.6V @ 152mA
1494nC @ 15V
4700pF @ 1200V
-
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
模块
WAB400M12BM3
WAS350M12BM3
SIC 2N-CH 1200V 417A
Wolfspeed, Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥7,574.92000
-
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
417A(Tc)
5.2 毫欧 @ 350A,15V
3.6V @ 85mA
844nC @ 15V
25700pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
-
WAB400M12BM3
WAS530M12BM3
SIC 2N-CH 1200V 630A
Wolfspeed, Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥8,558.47000
-
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
630A(Tc)
3.47 毫欧 @ 530A,15V
3.6V @ 127mA
1362nC @ 15V
38900pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
-
CAB450M12XM3
CAB320M17XM3
SIC 1700V 320A MODULE
Wolfspeed, Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥10,773.00000
-
在售
碳化硅(SiC)
-
-
1700V(1.7kV)
320A(Tc)
-
-
-
-
-
-
底座安装
模块
-
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。