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Rohm Semiconductor
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单价: ¥10,013.23000
规格书
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 600A(Tc) 2450W(Tc) 底座安装 模块
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MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 600A(Tc) 2450W(Tc) 底座安装 模块
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM600D12P3G001

DigiKey 零件编号
846-BSM600D12P3G001-ND
制造商
制造商产品编号
BSM600D12P3G001
描述
MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 600A(Tc) 2450W(Tc) 底座安装 模块
规格书
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产品属性
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类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.6V @ 182mA
制造商
Rohm Semiconductor
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
31000pF @ 10V
包装
散装
功率 - 最大值
2450W(Tc)
零件状态
停产
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
技术
碳化硅(SiC)
安装类型
底座安装
配置
2 个 N 通道(半桥)
封装/外壳
模块
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
供应商器件封装
模块
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
600A(Tc)
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
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