硅电容器

结果 : 3
系列
ATSCUBSCULSC
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
电容
10000 pF0.1 µF1 µF
容差
±15%-
电压 - 击穿
11 V30 V
ESR（等效串联电阻）
300 mOhms500 mOhms
ESL（等效串联电感）
100pH-
应用
高稳定性高稳定性，高温，引线键合和嵌入式
特性
-高可靠性，小尺寸
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 200°C
封装/外壳
0201（0603 公制）0202（0505 公制）0402（1005 公制）
高度
0.005"（0.12mm）0.006"（0.14mm）0.017"（0.44mm）
大小 / 尺寸
0.025" 长 x 0.025" 宽（0.63mm x 0.63mm）0.031" 长 x 0.024" 宽（0.80mm x 0.60mm）0.047" 长 x 0.028" 宽（1.20mm x 0.70mm）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
电容
容差
电压 - 击穿
ESR（等效串联电阻）
ESL（等效串联电感）
应用
特性
工作温度
封装/外壳
高度
大小 / 尺寸
935152722410-T3S
935151723510-T3N
CAP SILICON 10000PF 15% 30V 0201
Murata Electronics
1,247
现货
1 : ¥65.10000
剪切带（CT）
1,000 : ¥36.87081
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售10000 pF±15%30 V300 mOhms100pH高稳定性高可靠性，小尺寸-55°C ~ 150°C0201（0603 公制）0.017"（0.44mm）0.031" 长 x 0.024" 宽（0.80mm x 0.60mm）
939113424610-T3N
935156424610-T3N
CAP SILICON 0.1UF 15% 11V 0402
Murata Electronics
0
现货
查看交期
1 : ¥34.07000
剪切带（CT）
1,000 : ¥17.69763
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售0.1 µF±15%11 V500 mOhms100pH高稳定性高可靠性，小尺寸-55°C ~ 150°C0402（1005 公制）0.006"（0.14mm）0.047" 长 x 0.028" 宽（1.20mm x 0.70mm）
C-NEW
935174736710-T3A
C-NEW
Murata Electronics
0
现货
查看交期
1,000 : ¥106.21286
卷带（TR）
卷带（TR）
在售1 µF-30 V--高稳定性，高温，引线键合和嵌入式--55°C ~ 200°C0202（0505 公制）0.005"（0.12mm）0.025" 长 x 0.025" 宽（0.63mm x 0.63mm）
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硅电容器

硅电容器和薄膜电容器是使用半导体器件制造中更常用的工具、方法和材料制造的特殊器件。因此，所提供的极高精度和控制能力可生产出具有卓越参数稳定性且近乎理想的电容器，但参数值范围相对有限，并且与最直接的竞争对手陶瓷器件相比，成本要高得多。