820mA(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
250 毫欧 @ 1A,4.5V495 毫欧 @ 800mA,4.5V750 毫欧 @ 430mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.62 nC @ 4.5 V0.622 nC @ 4.5 V2.1 nC @ 4.5 V3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±6V±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
59.76 pF @ 16 V80 pF @ 10 V120 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
300mW(Ta),4.7W(Tc)310mW(Ta)490mW(Ta)
供应商器件封装
DFN0603-3(SOT8013)SOT-323X1-DFN1212-3
封装/外壳
3-UDFN0201(0603 公制)SC-70,SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
327,740
现货
1,731,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48192
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
820mA(Ta)
1.8V,4.5V
750 毫欧 @ 430mA,4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-323
DMG1013UWQ-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
17,028
现货
720,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52304
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
820mA(Ta)
1.8V,4.5V
750 毫欧 @ 430mA,4.5V
1V @ 250µA
0.62 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
3-XDFN
DMP21D0UFD-7
MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN
Diodes Incorporated
6,007
现货
2,304,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87862
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
820mA(Ta)
1.5V,4.5V
495 毫欧 @ 800mA,4.5V
1.2V @ 250µA
3 nC @ 4.5 V
±8V
80 pF @ 10 V
-
490mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X1-DFN1212-3
3-UDFN
DFN0603-3 (SOT8013)
PMX300UNEZ
PMX300UNE/SOT8013/DFN0603-3
Nexperia USA Inc.
12,755
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
15,000 : ¥0.28191
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
820mA(Ta)
1.8V,4.5V
250 毫欧 @ 1A,4.5V
900mV @ 250µA
2.1 nC @ 4.5 V
±8V
120 pF @ 15 V
-
300mW(Ta),4.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN0603-3(SOT8013)
0201(0603 公制)
SOT-323
DMG1013UWQ-13
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
37,186
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.43249
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
820mA(Ta)
1.8V,4.5V
750 毫欧 @ 430mA,4.5V
1V @ 250µA
0.62 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
显示
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820mA(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。