5.1A（Ta）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IRF7815TRPBF MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO Infineon Technologies	5,270 现货	1 : ¥10.75000 剪切带（CT） 4,000 : ¥4.45242 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	5.1A（Ta）	10V	43 毫欧 @ 3.1A，10V	5V @ 100µA	38 nC @ 10 V	±20V	1647 pF @ 75 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SO	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRFL024ZTRPBF MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 Infineon Technologies	102,186 现货	1 : ¥5.75000 剪切带（CT） 2,500 : ¥2.17167 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	5.1A（Ta）	10V	57.5 毫欧 @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	340 pF @ 25 V	-	1W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-223	TO-261-4，TO-261AA
IRFH5020TRPBF MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN Infineon Technologies	7,688 现货	1 : ¥18.88000 剪切带（CT） 4,000 : ¥8.50339 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	5.1A（Ta）	10V	55 毫欧 @ 7.5A，10V	5V @ 150µA	54 nC @ 10 V	±20V	2290 pF @ 100 V	-	3.6W（Ta），8.3W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-PQFN（5x6）	8-PowerTDFN
MCQ9435-TP MOSFET P-CH 30V 5.1A 8SOP Micro Commercial Co	13,387 现货	1 : ¥3.69000 剪切带（CT） 4,000 : ¥0.82223 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	5.1A（Ta）	10V	105 毫欧 @ 2A，4.5V	2V @ 250µA	40 nC @ 10 V	±20V	-	-	1.4W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOP	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
PMPB100ENEX MOSFET DFN2020MD-6 Nexperia USA Inc.	2,759 现货	1 : ¥3.94000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.06275 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	5.1A（Ta）	4.5V，10V	72 毫欧 @ 3.9A，10V	2.5V @ 250µA	5 nC @ 10 V	±20V	157 pF @ 15 V	-	3.3W（Ta）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DFN2020MD-6	6-UDFN 裸露焊盘
PMN35EN,115 MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP NXP USA Inc.	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	5.1A（Ta）	4.5V，10V	31 毫欧 @ 5.1A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 nC @ 10 V	±20V	334 pF @ 15 V	-	500mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SC-74	SC-74，SOT-457
NTLUS3A18PZCTCG MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN onsemi	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	5.1A（Ta）	1.5V，4.5V	18 毫欧 @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	28 nC @ 4.5 V	±8V	2240 pF @ 15 V	-	-	-	-	-	表面贴装型	6-UDFN（2x2）	6-UDFN 裸露焊盘
NTLUS3A18PZTCG MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN onsemi	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	5.1A（Ta）	1.5V，4.5V	18 毫欧 @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	28 nC @ 4.5 V	±8V	2240 pF @ 15 V	-	700mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	6-UDFN（2x2）	6-UDFN 裸露焊盘
IRFL024Z MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 Infineon Technologies	0 现货	80 : ¥5.45000 管件	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	5.1A（Ta）	10V	57.5 毫欧 @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	340 pF @ 25 V	-	1W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-223	TO-261-4，TO-261AA
NTLUS3A18PZTAG MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN onsemi	37 现货	1 : ¥5.34000 剪切带（CT） 3,000 : ¥2.03813 卷带（TR）	µCool™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	5.1A（Ta）	1.5V，4.5V	18 毫欧 @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	28 nC @ 4.5 V	±8V	2240 pF @ 15 V	-	700mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	6-UDFN（2x2）	6-UDFN 裸露焊盘
PMV45EN2VL MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB Nexperia USA Inc.	0 现货查看交期	10,000 : ¥0.67721 卷带（TR）	TrenchMOS™	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	5.1A（Ta）	4.5V，10V	42 毫欧 @ 4.1A，10V	2V @ 250µA	6.3 nC @ 10 V	±20V	209 pF @ 15 V	-	510mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-236AB	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DMP3065LVT-13 MOSFET P-CH 30V 5.1A TSOT-26 Diodes Incorporated	0 现货	10,000 : ¥0.97942 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	5.1A（Ta）	4.5V，10V	42 毫欧 @ 4.9A，10V	2.1V @ 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	880 pF @ 15 V	-	1.2W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TSOT-26	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
IRF6100 MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET Infineon Technologies	0 现货	6,000 : ¥4.35466 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	5.1A（Ta）	2.5V，4.5V	65 毫欧 @ 5.1A，4.5V	1.2V @ 250µA	21 nC @ 5 V	±12V	1230 pF @ 15 V	-	2.2W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	4-FlipFet™	4-FlipFet™
NTLUS3A18PZTBG MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN onsemi	0 现货	1 : ¥5.34000 剪切带（CT）	µCool™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	5.1A（Ta）	1.5V，4.5V	18 毫欧 @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	28 nC @ 4.5 V	±8V	2240 pF @ 15 V	-	700mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	6-UDFN（2x2）	6-UDFN 裸露焊盘
SI3460DV-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP Vishay Siliconix	0 现货	停产	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	5.1A（Ta）	1.8V，4.5V	27 毫欧 @ 5.1A，4.5V	450mV @ 1mA（最小）	20 nC @ 4.5 V	±8V	-	-	1.1W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	6-TSOP	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
IRFH5020TR2PBF MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN Infineon Technologies	0 现货	1 : ¥18.88000 剪切带（CT）	-	剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	5.1A（Ta）	-	55 毫欧 @ 7.5A，10V	5V @ 150µA	54 nC @ 10 V	-	2290 pF @ 100 V	-	-	-	-	-	表面贴装型	8-PQFN（5x6）	8-PowerVDFN
IRFL024ZPBF MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 Infineon Technologies	0 现货	Digi-Key 停止提供	HEXFET®	管件	Digi-Key 停止提供	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	5.1A（Ta）	10V	57.5 毫欧 @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	340 pF @ 25 V	-	1W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-223	TO-261-4，TO-261AA
IRF7494PBF MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	5.1A（Ta）	10V	44 毫欧 @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	53 nC @ 10 V	±20V	1783 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SO	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF6100PBF MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	5.1A（Ta）	2.5V，4.5V	65 毫欧 @ 5.1A，4.5V	1.2V @ 250µA	21 nC @ 5 V	±12V	1230 pF @ 15 V	-	2.2W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	4-FlipFet™	4-FlipFet™
IRF7494TRPBF MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	5.1A（Ta）	10V	44 毫欧 @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	53 nC @ 10 V	±20V	1783 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SO	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF7815PBF MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO Infineon Technologies	0 现货	Digi-Key 停止提供	HEXFET®	管件	Digi-Key 停止提供	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	5.1A（Ta）	10V	43 毫欧 @ 3.1A，10V	5V @ 100µA	38 nC @ 10 V	±20V	1647 pF @ 75 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SO	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SI3460DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP Vishay Siliconix	0 现货	停产	TrenchFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	5.1A（Ta）	1.8V，4.5V	27 毫欧 @ 5.1A，4.5V	450mV @ 1mA（最小）	20 nC @ 4.5 V	±8V	-	-	1.1W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	6-TSOP	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
PMN35EN,125 MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP Nexperia USA Inc.	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	5.1A（Ta）	4.5V，10V	31 毫欧 @ 5.1A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 nC @ 10 V	±20V	334 pF @ 15 V	-	500mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	6-TSOP	SC-74，SOT-457
NTLUS3A18PZCTAG MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN onsemi	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	5.1A（Ta）	1.5V，4.5V	18 毫欧 @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	28 nC @ 4.5 V	±8V	2240 pF @ 15 V	-	-	-	-	-	表面贴装型	6-UDFN（2x2）	6-UDFN 裸露焊盘
NTLUS3A18PZCTBG MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN onsemi	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	5.1A（Ta）	1.5V，4.5V	18 毫欧 @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	28 nC @ 4.5 V	±8V	2240 pF @ 15 V	-	-	-	-	-	表面贴装型	6-UDFN（2x2）	6-UDFN 裸露焊盘