设置
快速交货
免运费
国际贸易术语
支付类型
市场产品
SI3460DV-T1-GE3 已经过时且不再制造。
可用替代品:
类似
类似
类似
类似
SI3460DV-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SI3460DV-T1-GE3-ND - 卷带（TR） |
制造商 | |
制造商产品编号 | SI3460DV-T1-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 20 V 5.1A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） | |
零件状态 | 停产 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 20 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 27 毫欧 @ 5.1A，4.5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 450mV @ 1mA（最小） | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20 nC @ 4.5 V | |
Vgs（最大值） | ±8V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 1.1W（Ta） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | 6-TSOP | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
