FET、MOSFET 阵列

结果 : 12
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N 沟道(双)共源2 个 N 通道(半桥)3 N 沟道(半桥 + 同步自举)
漏源电压(Vdss)
30V60V80V100V120V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A1.7A,500mA3.4A5A9.5A,38A10A(Ta),40A(Ta)16A(Ta)23A28A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.4 毫欧 @ 20A,5V5.5 毫欧 @ 20A,5V6.3 毫欧 @ 20A,5V8.2 毫欧 @ 25A,5V,2.1 毫欧 @ 25A,5V11.5 毫欧 @ 20A,5V,2.7 毫欧 @ 20A,5V14.5 毫欧 @ 20A,5V,3.4 毫欧 @ 20A,5V19 毫欧 @ 15A,5V,8 毫欧 @ 15A,5V60 毫欧 @ 4A,5V70 毫欧 @ 2A,5V320 毫欧 @ 2A,5V,3.3 欧姆 @ 2A,5V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 100µA,2.5V @ 20µA2.5V @ 2.5mA,2.5V @ 10mA2.5V @ 3mA,2.5V @ 12mA2.5V @ 4mA,2.5V @ 16mA2.5V @ 5.5mA2.5V @ 5mA2.5V @ 600µA2.5V @ 700µA2.5V @ 7mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.16nC @ 5V,0.044nC @ 5V0.73nC @ 5V0.8nC @ 5V2.2nC @ 5V,5.7nC @ 5V2.5nC @ 5V,10nC @ 5V2.7nC @ 5V,12nC @ 5V4.9nC @ 15V,19nC @ 15V6.5nC @ 5V6.8nC @ 5V7nC @ 5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
16pF @ 50V,7pF @ 50V75pF @ 50V80pF @ 60V230pF @ 15V,590pF @ 15V300pF @ 30V,1200pF @ 30V300pF @ 40V,1100pF @ 40V475pF @ 15V,1960pF @ 15V760pF @ 40V800pF @ 50V830pF @ 30V-
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
封装/外壳
9-VFBGA模具
供应商器件封装
9-BGA(1.35x1.35)模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
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/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
eGaN Series
EPC2106
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
62,514
现货
1 : ¥15.19000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.83714
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET(氮化镓)
2 个 N 通道(半桥)
-
100V
1.7A
70 毫欧 @ 2A,5V
2.5V @ 600µA
0.73nC @ 5V
75pF @ 50V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
模具
模具
EPC2221
EPC2221
GANFET 2N-CH 100V 5A DIE
EPC
4,958
现货
1 : ¥22.49000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.14541
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET(氮化镓)
2 N 沟道(双)共源
-
100V
5A
-
-
-
-
-
150°C(TJ)
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2103
GANFET 2N-CH 80V 28A DIE
EPC
5,000
现货
1 : ¥79.96000
剪切带(CT)
500 : ¥50.37058
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET(氮化镓)
2 个 N 通道(半桥)
-
80V
28A
5.5 毫欧 @ 20A,5V
2.5V @ 7mA
6.5nC @ 5V
760pF @ 40V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2104
GANFET 2N-CH 100V 23A DIE
EPC
4,466
现货
1 : ¥75.94000
剪切带(CT)
500 : ¥47.88316
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET(氮化镓)
2 个 N 通道(半桥)
-
100V
23A
6.3 毫欧 @ 20A,5V
2.5V @ 5.5mA
7nC @ 5V
800pF @ 50V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2110
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
EPC
12,490
现货
1 : ¥13.79000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.20935
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET(氮化镓)
2 N 沟道(双)共源
-
120V
3.4A
60 毫欧 @ 4A,5V
2.5V @ 700µA
0.8nC @ 5V
80pF @ 60V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
模具
模具
eGaN Series
EPC2107
GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
EPC
5,412
现货
1 : ¥16.66000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.49878
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET(氮化镓)
3 N 沟道(半桥 + 同步自举)
-
100V
1.7A,500mA
320 毫欧 @ 2A,5V,3.3 欧姆 @ 2A,5V
2.5V @ 100µA,2.5V @ 20µA
0.16nC @ 5V,0.044nC @ 5V
16pF @ 50V,7pF @ 50V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
9-VFBGA
9-BGA(1.35x1.35)
MOSFET Array
EPC2111
GANFET 2N-CH 30V 16A DIE
EPC
19,824
现货
1 : ¥26.60000
剪切带(CT)
2,500 : ¥12.94210
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET(氮化镓)
2 个 N 通道(半桥)
-
30V
16A(Ta)
19 毫欧 @ 15A,5V,8 毫欧 @ 15A,5V
2.5V @ 5mA
2.2nC @ 5V,5.7nC @ 5V
230pF @ 15V,590pF @ 15V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2102
GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
EPC
2,615
现货
1 : ¥75.94000
剪切带(CT)
500 : ¥47.88316
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET(氮化镓)
2 个 N 通道(半桥)
-
60V
23A
4.4 毫欧 @ 20A,5V
2.5V @ 7mA
6.8nC @ 5V
830pF @ 30V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2105
GANFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
EPC
1,466
现货
1 : ¥75.94000
剪切带(CT)
500 : ¥47.88316
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET(氮化镓)
2 个 N 通道(半桥)
-
80V
9.5A,38A
14.5 毫欧 @ 20A,5V,3.4 毫欧 @ 20A,5V
2.5V @ 2.5mA,2.5V @ 10mA
2.5nC @ 5V,10nC @ 5V
300pF @ 40V,1100pF @ 40V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2101
GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
EPC
533
现货
1 : ¥79.96000
剪切带(CT)
500 : ¥50.37058
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET(氮化镓)
2 个 N 通道(半桥)
-
60V
9.5A,38A
11.5 毫欧 @ 20A,5V,2.7 毫欧 @ 20A,5V
2.5V @ 3mA,2.5V @ 12mA
2.7nC @ 5V,12nC @ 5V
300pF @ 30V,1200pF @ 30V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2100
GANFET 2N-CH 30V 10A/40A DIE
EPC
230
现货
1 : ¥79.96000
剪切带(CT)
500 : ¥50.37058
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET(氮化镓)
2 个 N 通道(半桥)
-
30V
10A(Ta),40A(Ta)
8.2 毫欧 @ 25A,5V,2.1 毫欧 @ 25A,5V
2.5V @ 4mA,2.5V @ 16mA
4.9nC @ 15V,19nC @ 15V
475pF @ 15V,1960pF @ 15V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2100ENGRT
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
EPC
0
现货
1 : ¥60.01000
剪切带(CT)
500 : ¥37.80898
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET(氮化镓)
2 个 N 通道(半桥)
-
30V
10A(Ta),40A(Ta)
8.2 毫欧 @ 25A,5V,2.1 毫欧 @ 25A,5V
2.5V @ 4mA,2.5V @ 16mA
4.9nC @ 15V,19nC @ 15V
475pF @ 15V,1960pF @ 15V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
模具
模具
显示
/ 12

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。