IGBT 模块

结果 : 3
配置
半桥半桥逆变器
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.75V @ 15V， 800A-
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
AG-62MMAG-EASY1B-2
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
1BPressfit
FP15R12W1T7B3BOMA1
IGBT MODULE LOW POWER EASY
Infineon Technologies
3
现货
1 : ¥376.07000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥逆变器
1200 V
-
-
-
-
标准
无
175°C（TJ）
底座安装
模块
AG-EASY1B-2
0
现货
查看交期
1 : ¥402.67000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥逆变器
1200 V
-
-
-
-
标准
无
175°C（TJ）
底座安装
模块
AG-EASY1B-2
FF800R12KE7HPSA1
FF800R12KE7HPSA1
MEDIUM POWER 62MM AG-62MMHB-711
Infineon Technologies
1
现货
1 : ¥1,905.39000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1200 V
800 A
1.75V @ 15V， 800A
100 µA
122 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
模块
AG-62MM
显示
/ 3

IGBT 模块

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。