FET、MOSFET 阵列

结果 : 43
产品状态
不适用于新设计停产在售
配置
2 N 沟道（双）配对4 N 沟道，配对
FET 功能
-耗尽模式
漏源电压（Vdss）
10V10.6V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12mA，3mA-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
500 欧姆 @ 5.4V500 欧姆 @ 2.7V500 欧姆 @ 3.6V500 欧姆 @ 4.2V500 欧姆 @ 4.4V500 欧姆 @ 4.8V500 欧姆 @ 5.9V500 欧姆 @ 5V540 欧姆 @ 0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
220mV @ 1µA360mV @ 1µA380mV @ 1µA420mV @ 1µA810mV @ 1µA820mV @ 1µA1.01V @ 1µA1.26V @ 1µA1.42V @ 1µA3.35V @ 1µA3.45V @ 1µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2.5pF @ 5V25pF @ 5V
功率 - 最大值
500mW600mW
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
8-DIP（0.300"，7.62mm）8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）16-DIP（0.300"，7.62mm）16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-MSOP8-PDIP8-SOIC16-PDIP16-SOIC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
43结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 43
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
328
现货
1 : ¥41.79000
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）配对
-
10.6V
-
500 欧姆 @ 5.9V
3.35V @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
50
现货
1 : ¥43.76000
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）配对
耗尽模式
10.6V
12mA，3mA
500 欧姆 @ 2.7V
1.26V @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
30
现货
1 : ¥40.88000
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）配对
-
10.6V
-
500 欧姆 @ 4.2V
220mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
21
现货
1 : ¥42.20000
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）配对
耗尽模式
10.6V
12mA，3mA
500 欧姆 @ 3.6V
360mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
4
现货
1 : ¥51.63000
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
4 N 沟道，配对
-
10.6V
12mA，3mA
500 欧姆 @ 5.4V
1.42V @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
16-SOIC
0
现货
查看交期
1 : ¥51.88000
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）配对
-
10.6V
12mA，3mA
500 欧姆 @ 4.8V
810mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
0
现货
查看交期
1 : ¥56.40000
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
4 N 沟道，配对
耗尽模式
10.6V
12mA，3mA
540 欧姆 @ 0V
3.45V @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
16-SOIC
0
现货
查看交期
50 : ¥32.38580
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）配对
-
10.6V
12mA，3mA
500 欧姆 @ 4.4V
420mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
0
现货
查看交期
50 : ¥36.04240
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）配对
-
10.6V
12mA，3mA
500 欧姆 @ 4.8V
820mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
0
现货
查看交期
50 : ¥36.04240
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）配对
-
10.6V
12mA，3mA
500 欧姆 @ 5.4V
1.42V @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
0
现货
查看交期
50 : ¥37.61040
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
4 N 沟道，配对
-
10.6V
12mA，3mA
500 欧姆 @ 4.8V
820mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
16-SOIC
0
现货
查看交期
50 : ¥37.95840
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）配对
耗尽模式
10.6V
12mA，3mA
540 欧姆 @ 0V
3.45V @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
0
现货
50 : ¥39.00260
管件
管件
不适用于新设计
MOSFET（金属氧化物）
4 N 沟道，配对
-
10V
-
500 欧姆 @ 5V
1.01V @ 1µA
-
25pF @ 5V
600mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
16-SOIC
0
现货
查看交期
50 : ¥39.85640
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）配对
-
10.6V
-
500 欧姆 @ 5.9V
3.35V @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
通孔
8-DIP（0.300"，7.62mm）
8-PDIP
0
现货
查看交期
50 : ¥39.85640
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
4 N 沟道，配对
耗尽模式
10.6V
12mA，3mA
500 欧姆 @ 3.6V
360mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
16-SOIC
0
现货
查看交期
50 : ¥40.17160
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）配对
耗尽模式
10.6V
12mA，3mA
500 欧姆 @ 3.6V
360mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
通孔
8-DIP（0.300"，7.62mm）
8-PDIP
0
现货
查看交期
50 : ¥40.64440
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
4 N 沟道，配对
耗尽模式
10.6V
12mA，3mA
500 欧姆 @ 2.7V
1.26V @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
16-SOIC
0
现货
查看交期
50 : ¥41.59020
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）配对
耗尽模式
10.6V
12mA，3mA
500 欧姆 @ 2.7V
1.26V @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
通孔
8-DIP（0.300"，7.62mm）
8-PDIP
0
现货
查看交期
50 : ¥43.18120
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）配对
-
10.6V
-
500 欧姆 @ 4.2V
220mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
通孔
8-DIP（0.300"，7.62mm）
8-PDIP
0
现货
查看交期
50 : ¥43.18120
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）配对
-
10.6V
12mA，3mA
500 欧姆 @ 4.4V
420mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
通孔
8-DIP（0.300"，7.62mm）
8-PDIP
0
现货
查看交期
50 : ¥43.63760
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）配对
-
10.6V
12mA，3mA
500 欧姆 @ 4.8V
820mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
通孔
8-DIP（0.300"，7.62mm）
8-PDIP
0
现货
查看交期
50 : ¥43.63760
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）配对
-
10.6V
12mA，3mA
500 欧姆 @ 5.4V
1.42V @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
通孔
8-DIP（0.300"，7.62mm）
8-PDIP
0
现货
查看交期
50 : ¥44.42580
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
4 N 沟道，配对
-
10.6V
-
500 欧姆 @ 4.2V
220mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
16-SOIC
0
现货
查看交期
50 : ¥44.42580
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
4 N 沟道，配对
-
10.6V
12mA，3mA
500 欧姆 @ 4.4V
420mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
16-SOIC
0
现货
查看交期
50 : ¥45.21380
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
4 N 沟道，配对
-
10.6V
12mA，3mA
500 欧姆 @ 4.8V
820mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
通孔
16-DIP（0.300"，7.62mm）
16-PDIP
显示
/ 43

FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。