FET、MOSFET 阵列

结果 : 365
制造商
GE AerospaceInfineon TechnologiesIXYSMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationonsemiPowerex Inc.QorvoRohm SemiconductorSemiQSTMicroelectronicsWolfspeed, Inc.
系列
-*CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolSiC™CoolSiC™+EasyDUAL™EasyPACK™EasyPACK™ CoolSiC™EasyPACK™, CoolSiC™ECOPACK®
包装
卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
技术
SiCFET(碳化硅)碳化硅(SiC)
配置
2 N 沟道(双)共源2 N 沟道(双)非对称型2 N 沟道(相角)2 N-通道(双)2 P 沟道(半桥)2 个 N 沟道2 个 N 通道(半桥)2 个 N 通道(双),肖特基4 N 沟道(全桥)4 N 沟道(半桥)4 N 沟道(太阳能逆变器)4 N 沟道(相位桥臂)
FET 功能
-碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss)
500V650V700V900V1000V(1kV)1200V(1.2kV)1200V(1.2kV),700V1700V(1.7kV)1700V(1.7kV),1200V(1.2kV)2000V(2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A(Tj)24A(Tj)25A25A(Tj)26A(Tc)27A(Tc)28A(Tc)28A(Tc),49A(Tc)29.5A(Tc)30A(Tc)31A(Tc),52A(Tc)36A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.73 毫欧 @ 760A,15V1.86 毫欧 @ 650A,15V2.1 毫欧 @ 360A,20V2.1 毫欧 @ 620A,18V2.13 毫欧 @ 500A,15V2.27 毫欧 @ 400A,18V2.6 毫欧 @ 480A,20V2.6 毫欧 @ 500A,15V2.7 毫欧 @ 510A,18V2.83 毫欧 @ 375A,15V2.85 毫欧 @ 600A,20V2.97 毫欧 @ 480A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 34mA2.2V @ 10mA(典型值)2.2V @ 1mA2.2V @ 1mA(典型值)2.2V @ 2mA(典型值)2.2V @ 3mA(典型值)2.2V @ 4mA(典型值)2.2V @ 5mA(典型值)2.3V @ 15mA(典型值)2.3V @ 2.5mA2.3V @ 2.5mA(典型值)2.3V @ 2mA(典型值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
42.5nC @ 15V45nC @ 18V46nC @ 15V49nC @ 20V56nC @ 20V56nC @ 20V,99nC @ 20V61.5nC @ 20V62nC @ 15V62nC @ 20V64nC @ 20V,137nC @ 20V85nC @ 15V98nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
12.08pF @ 1000V18.1pF @ 1000V800pF @ 10V838pF @ 1000V,1990pF @ 1000V900pF @ 10V900pF @ 800V950pF @ 1000V1175pF @ 700V,2010pF @ 700V1350pF @ 800V1362pF @ 800V1445pF @ 800V1450pF @ 800V
功率 - 最大值
10mW20mW74W74W(Tj)90W(Tc),141W(Tc)96W(Tc)114W(Tc)116W(Tc),196W(Tc)119W(Tc)119W(Tj)125W141W(Tc),292W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-底座安装表面贴装型通孔
封装/外壳
9-PowerSMD9-SMD 电源模块12-SSIP 裸焊盘,成型引线32-PowerDIP 模块(1.264",32.10mm)-D-3 模块SOT-227-4,miniBLOCSP1SP3SP4SP6模块模块,螺丝端子
供应商器件封装
9-SMPD-B22-PIM(33.8x42.5)29-PIM(56.7x42.5)36-PIM(56.7x62.8)-ACEPACK 1ACEPACK DMT-32ACEPACKAG-62MMAG-62MMHBAG-EASY1BAG-EASY1B-2
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
365结果
搜索条目

显示
/ 365
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SIC 2N-CH 1200V 114A
NXH010P120MNF1PNG
SIC 2N-CH 1200V 114A
onsemi
50
现货
1 : ¥1,305.70000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 N-通道(双)
-
1200V(1.2kV)
114A(Tc)
14 毫欧 @ 100A,20V
4.3V @ 40mA
454nC @ 20V
4707pF @ 800V
250W(Tj)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
CCB032M12FM3
CCB021M12FM3
SIC 6N-CH 1200V 51A MODULE
Wolfspeed, Inc.
40
现货
1 : ¥1,907.36000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
6 N-沟道(3 相桥)
-
1200V(1.2kV)
51A
27.9 毫欧 @ 30A,15V
3,6V @ 17,7mA
162nC @ 15V
4900pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
NXH004P120M3F2PTHG
NXH003P120M3F2PTHG
ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
onsemi
65
现货
1 : ¥2,010.96000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
350A(Tc)
5 毫欧 @ 200A,18V
4.4V @ 160mA
1195nC @ 20V
20889pF @ 800V
979W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
36-PIM(56.7x62.8)
46
现货
1 : ¥2,613.77000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
-
6.9 毫欧 @ 200A,15V
3.6V @ 69mA
708nC @ 15V
20400pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
CAS120M12BM2
CAS120M12BM2
MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
Wolfspeed, Inc.
100
现货
1 : ¥4,476.64000
散装
散装
不适用于新设计
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
193A(Tc)
16 毫欧 @ 120A,20V
2.6V @ 6mA(典型值)
378nC @ 20V
6470pF @ 800V
925W
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
模块
CAB425M12XM3
CAB425M12XM3
SIC 2N-CH 1200V 450A
Wolfspeed, Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥6,342.71000
散装
散装
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
450A
4.2 毫欧 @ 425A,15V
3.6V @ 115mA
1135nC @ 15V
30.7nF @ 800V
-
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
CAB450M12XM3
CAB450M12XM3
SIC 2N-CH 1200V 450A MODULE
Wolfspeed, Inc.
301
现货
1 : ¥7,036.72000
-
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
450A
3.7 毫欧 @ 450A,15V
3.6V @ 132mA
1330nC @ 15V
38000pF @ 800V
850W
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
模块
AUTOMOTIVE-GRADE ACEPACK DMT-32
M1F45M12W2-1LA
AUTOMOTIVE-GRADE ACEPACK DMT-32
STMicroelectronics
60
现货
1 : ¥415.56000
管件
管件
在售
碳化硅(SiC)
4 个 N 通道
-
1200V(1.2kV)
30A(Tc)
64 毫欧 @ 20A,18V
5V @ 1mA
100nC @ 18V
2086pF @ 800V
-
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
32-PowerDIP 模块(1.264",32.10mm)
ACEPACK DMT-32
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1-(secondary)
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
SIC 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Infineon Technologies
45
现货
1 : ¥1,329.50000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
85A(Tj)
12 毫欧 @ 100A,18V
5.15V @ 40mA
297nC @ 18V
8800pF @ 800V
-
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
AG-EASY2B
CCB032M12FM3
CAB011M12FM3
SIC 2N-CH 1200V 105A MODULE
Wolfspeed, Inc.
5
现货
1 : ¥1,441.15000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
105A
14 毫欧 @ 100A,15V
3.6V @ 35mA
324nC @ 15V
10300pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
CCB032M12FM3
CCB032M12FM3
SIC 6N-CH 1200V 40A MODULE
Wolfspeed, Inc.
68
现货
1 : ¥1,483.51000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
6 N-沟道(3 相桥)
-
1200V(1.2kV)
40A
42.6 毫欧 @ 30A,15V
3.6V @ 11.5mA
118nC @ 15V
3400pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
NXH004P120M3F2PTHG
NXH004P120M3F2PTHG
ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
onsemi
31
现货
1 : ¥1,637.68000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
284A(Tc)
5.5 毫欧 @ 200A,18V
4.4V @ 120mA
876nC @ 20V
16410pF @ 800V
785W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
36-PIM(56.7x62.8)
BSM250D17P2E004
BSM250D17P2E004
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
Rohm Semiconductor
28
现货
1 : ¥8,419.84000
-
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1700V(1.7kV)
250A(Tc)
-
4V @ 66mA
-
30000pF @ 10V
1800W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
模块
CAS120M12BM2
CAS300M17BM2
MOSFET 2N-CH 1700V 325A MODULE
Wolfspeed, Inc.
34
现货
1 : ¥8,530.00000
不适用于新设计
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1700V(1.7kV)
325A(Tc)
10 毫欧 @ 225A,20V
2.3V @ 15mA(典型值)
1076nC @ 20V
20000pF @ 1000V
1760W
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
模块
CCB032M12FM3
CAB016M12FM3
SIC 2N-CH 1200V 78A MODULE
Wolfspeed, Inc.
40
现货
1 : ¥1,178.04000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
78A
21.3 毫欧 @ 80A,15V
3.6V @ 23mA
236nC @ 15V
6600pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
39
现货
1 : ¥2,048.64000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
-
10.4 毫欧 @ 150A,15V
3.6V @ 46mA
472nC @ 15V
13600pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
CAB006M12GM3
CAB008A12GM3
SIC 2N-CH 1200V 182A
Wolfspeed, Inc.
44
现货
1 : ¥2,339.66000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
182A(Tj)
10.4 毫欧 @ 150A,15V
3.6V @ 46mA
472nC @ 15V
13600pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
GCMX020A120B2B1P
GCMX020A120B2B1P
SIC 1200V 20M MOSFET HALF-BRIDGE
SemiQ
41
现货
1 : ¥481.72000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
102A(Tc)
28 毫欧 @ 50A,20V
4V @ 20mA
241nC @ 20V
6500pF @ 800V
385W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
38
现货
1 : ¥882.18000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
-
-
1200V(1.2kV)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
底座安装
模块
AG-EASY1B
28
现货
1 : ¥920.02000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
-
-
1200V(1.2kV)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
底座安装
模块
AG-EASY1B
26
现货
1 : ¥1,207.84000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 沟道
-
1200V(1.2kV)
100A(Tj)
8.1 毫欧 @ 100A,18V
5.15V @ 40mA
297nC @ 18V
8800pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
AG-EASY1B
CCB032M12FM3
CBB032M12FM3T
SIC 4N-CH 1200V 39A
Wolfspeed, Inc.
49
现货
1 : ¥1,226.89000
-
在售
碳化硅(SiC)
4 N 沟道(全桥)
-
1200V(1.2kV)
39A(Tj)
44 毫欧 @ 30A,15V
3.9V @ 11mA
118nC @ 15V
3500pF @ 1000V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
CCB032M12FM3
CBB021M12FM3
SIC 4N-CH 1200V 105A MODULE
Wolfspeed, Inc.
29
现货
1 : ¥1,441.15000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
4 N 沟道(全桥)
-
1200V(1.2kV)
105A(Tj)
14 毫欧 @ 100A,15V
3.6V @ 35mA
324nC @ 15V
10300pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
CCB032M12FM3
CAB011M12FM3T
SIC 2N-CH 1200V 105A MODULE
Wolfspeed, Inc.
55
现货
1 : ¥1,501.65000
-
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
105A(Tj)
14 毫欧 @ 100A,15V
3.6V @ 35mA
324nC @ 15V
10300pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
模块
CCB032M12FM3
CBB021M12FM3T
SIC 4N-CH 1200V 50A
Wolfspeed, Inc.
54
现货
1 : ¥1,501.65000
-
在售
碳化硅(SiC)
4 N 沟道(全桥)
-
1200V(1.2kV)
50A(Tj)
28.9 毫欧 @ 30A,15V
3.9V @ 17mA
162nC @ 15V
5400pF @ 1000V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
-
显示
/ 365

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。