FET、MOSFET 阵列
结果 : 365
制造商
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
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365结果
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1 - 25
比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 等级 | 资质 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
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50 现货 | 1 : ¥1,305.70000 托盘 | - | 托盘 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 2 N-通道(双) | - | 1200V(1.2kV) | 114A(Tc) | 14 毫欧 @ 100A,20V | 4.3V @ 40mA | 454nC @ 20V | 4707pF @ 800V | 250W(Tj) | -40°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | - | ||
40 现货 | 1 : ¥1,907.36000 托盘 | 托盘 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 6 N-沟道(3 相桥) | - | 1200V(1.2kV) | 51A | 27.9 毫欧 @ 30A,15V | 3,6V @ 17,7mA | 162nC @ 15V | 4900pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | - | |||
65 现货 | 1 : ¥2,010.96000 托盘 | - | 托盘 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 2 个 N 通道(半桥) | - | 1200V(1.2kV) | 350A(Tc) | 5 毫欧 @ 200A,18V | 4.4V @ 160mA | 1195nC @ 20V | 20889pF @ 800V | 979W(Tc) | -40°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | 36-PIM(56.7x62.8) | ||
46 现货 | 1 : ¥2,613.77000 托盘 | 托盘 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 2 个 N 通道(半桥) | - | 1200V(1.2kV) | - | 6.9 毫欧 @ 200A,15V | 3.6V @ 69mA | 708nC @ 15V | 20400pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | - | |||
100 现货 | 1 : ¥4,476.64000 散装 | 散装 | 不适用于新设计 | 碳化硅(SiC) | 2 个 N 通道(半桥) | - | 1200V(1.2kV) | 193A(Tc) | 16 毫欧 @ 120A,20V | 2.6V @ 6mA(典型值) | 378nC @ 20V | 6470pF @ 800V | 925W | -40°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | 模块 | |||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥6,342.71000 散装 | 散装 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 2 个 N 通道(半桥) | - | 1200V(1.2kV) | 450A | 4.2 毫欧 @ 425A,15V | 3.6V @ 115mA | 1135nC @ 15V | 30.7nF @ 800V | - | -40°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | - | |||
301 现货 | 1 : ¥7,036.72000 盒 | - | 盒 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 2 个 N 通道(半桥) | - | 1200V(1.2kV) | 450A | 3.7 毫欧 @ 450A,15V | 3.6V @ 132mA | 1330nC @ 15V | 38000pF @ 800V | 850W | -40°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | 模块 | ||
60 现货 | 1 : ¥415.56000 管件 | 管件 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 4 个 N 通道 | - | 1200V(1.2kV) | 30A(Tc) | 64 毫欧 @ 20A,18V | 5V @ 1mA | 100nC @ 18V | 2086pF @ 800V | - | -40°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | 32-PowerDIP 模块(1.264",32.10mm) | ACEPACK DMT-32 | |||
45 现货 | 1 : ¥1,329.50000 托盘 | 托盘 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 2 个 N 通道(半桥) | - | 1200V(1.2kV) | 85A(Tj) | 12 毫欧 @ 100A,18V | 5.15V @ 40mA | 297nC @ 18V | 8800pF @ 800V | - | -40°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | AG-EASY2B | |||
5 现货 | 1 : ¥1,441.15000 托盘 | 托盘 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 2 个 N 通道(半桥) | - | 1200V(1.2kV) | 105A | 14 毫欧 @ 100A,15V | 3.6V @ 35mA | 324nC @ 15V | 10300pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | - | |||
68 现货 | 1 : ¥1,483.51000 托盘 | 托盘 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 6 N-沟道(3 相桥) | - | 1200V(1.2kV) | 40A | 42.6 毫欧 @ 30A,15V | 3.6V @ 11.5mA | 118nC @ 15V | 3400pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | - | |||
31 现货 | 1 : ¥1,637.68000 托盘 | - | 托盘 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 2 个 N 通道(半桥) | - | 1200V(1.2kV) | 284A(Tc) | 5.5 毫欧 @ 200A,18V | 4.4V @ 120mA | 876nC @ 20V | 16410pF @ 800V | 785W(Tc) | -40°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | 36-PIM(56.7x62.8) | ||
28 现货 | 1 : ¥8,419.84000 盒 | - | 盒 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 2 个 N 通道(半桥) | - | 1700V(1.7kV) | 250A(Tc) | - | 4V @ 66mA | - | 30000pF @ 10V | 1800W(Tc) | -40°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | 模块 | ||
34 现货 | 1 : ¥8,530.00000 盒 | 盒 | 不适用于新设计 | 碳化硅(SiC) | 2 个 N 通道(半桥) | - | 1700V(1.7kV) | 325A(Tc) | 10 毫欧 @ 225A,20V | 2.3V @ 15mA(典型值) | 1076nC @ 20V | 20000pF @ 1000V | 1760W | -40°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | 模块 | |||
40 现货 | 1 : ¥1,178.04000 托盘 | 托盘 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 2 个 N 通道(半桥) | - | 1200V(1.2kV) | 78A | 21.3 毫欧 @ 80A,15V | 3.6V @ 23mA | 236nC @ 15V | 6600pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | - | |||
39 现货 | 1 : ¥2,048.64000 托盘 | 托盘 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 2 个 N 通道(半桥) | - | 1200V(1.2kV) | - | 10.4 毫欧 @ 150A,15V | 3.6V @ 46mA | 472nC @ 15V | 13600pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | - | |||
44 现货 | 1 : ¥2,339.66000 托盘 | - | 托盘 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 2 个 N 通道(半桥) | - | 1200V(1.2kV) | 182A(Tj) | 10.4 毫欧 @ 150A,15V | 3.6V @ 46mA | 472nC @ 15V | 13600pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | - | ||
41 现货 | 1 : ¥481.72000 托盘 | - | 托盘 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 2 个 N 通道(半桥) | - | 1200V(1.2kV) | 102A(Tc) | 28 毫欧 @ 50A,20V | 4V @ 20mA | 241nC @ 20V | 6500pF @ 800V | 385W(Tc) | -40°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | - | ||
38 现货 | 1 : ¥882.18000 托盘 | 托盘 | 在售 | 碳化硅(SiC) | - | - | 1200V(1.2kV) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 底座安装 | 模块 | AG-EASY1B | |||
28 现货 | 1 : ¥920.02000 托盘 | 托盘 | 在售 | 碳化硅(SiC) | - | - | 1200V(1.2kV) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 底座安装 | 模块 | AG-EASY1B | |||
26 现货 | 1 : ¥1,207.84000 托盘 | 托盘 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 2 个 N 沟道 | - | 1200V(1.2kV) | 100A(Tj) | 8.1 毫欧 @ 100A,18V | 5.15V @ 40mA | 297nC @ 18V | 8800pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | AG-EASY1B | |||
49 现货 | 1 : ¥1,226.89000 盒 | - | 盒 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 4 N 沟道(全桥) | - | 1200V(1.2kV) | 39A(Tj) | 44 毫欧 @ 30A,15V | 3.9V @ 11mA | 118nC @ 15V | 3500pF @ 1000V | - | -40°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | - | ||
29 现货 | 1 : ¥1,441.15000 托盘 | - | 托盘 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 4 N 沟道(全桥) | - | 1200V(1.2kV) | 105A(Tj) | 14 毫欧 @ 100A,15V | 3.6V @ 35mA | 324nC @ 15V | 10300pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | - | ||
55 现货 | 1 : ¥1,501.65000 盒 | - | 盒 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 2 个 N 通道(半桥) | - | 1200V(1.2kV) | 105A(Tj) | 14 毫欧 @ 100A,15V | 3.6V @ 35mA | 324nC @ 15V | 10300pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | 模块 | ||
54 现货 | 1 : ¥1,501.65000 盒 | - | 盒 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 4 N 沟道(全桥) | - | 1200V(1.2kV) | 50A(Tj) | 28.9 毫欧 @ 30A,15V | 3.9V @ 17mA | 162nC @ 15V | 5400pF @ 1000V | - | -40°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 底座安装 | 模块 | - |
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