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市场产品
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | ||
|---|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1-ND | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | |
描述 | SIC 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B | |
原厂标准交货期 | 26 周 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 85A（Tj） 底座安装 AG-EASY2B | |
规格书 | 规格书 | |
EDA/CAD 模型 | F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 型号 | |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | ||
包装 | 托盘 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | 碳化硅（SiC） | |
配置 | 2 个 N 通道（半桥） | |
FET 功能 | - | |
漏源电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 85A（Tj） | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12 毫欧 @ 100A，18V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.15V @ 40mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 297nC @ 18V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8800pF @ 800V | |
功率 - 最大值 | - | |
工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | 模块 | |
供应商器件封装 | AG-EASY2B | |
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
托盘
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥1,329.50000 | ¥1,329.50 |
| 18 | ¥1,245.23944 | ¥22,414.31 |
| 36 | ¥1,198.42556 | ¥43,143.32 |
制造商标准包装
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