FET、MOSFET 阵列

结果 : 594
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Comchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.
系列
-AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CoolSiC™GHEXFET®OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™ 6OptiMOS™-T2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
技术
-GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)碳化硅(SiC)
配置
2 N 沟道(双)共源2 N 沟道(双)共漏2 N 沟道(双)非对称型2 N 沟道(双),P 沟道2 N 沟道(相角)2 N-通道(双)2 个 N 沟道2 个 N 通道(半桥)2 个 N 通道(双),肖特基2 个 P 沟道2 个 P 沟道(双)3 N 和 3 P 沟道(3 相逆变器)
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
12V12V,20V20V25V30V40V40V,200V55V57V60V65V70V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA(Tc)220mA(Ta)330mA(Tc)570mA(Ta),2.3A(Tc)700mA(Ta),700mA(Tc),400mA(Ta),500mA(Tc)700mA(Tc),460mA(Tc)800mA(Ta),550mA(Ta)930mA(Ta),3.5A(Tc)930mA(Ta),3.5A(Tc),570mA(Ta),2.3A(Tc)1A(Ta),1.1A(Tc)1A(Ta),1.3A(Tc)1.14A(Ta),1.3A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.88 毫欧 @ 50A,10V1.3 毫欧 @ 100A,10V1.6 毫欧 @ 50A,10V1.73 毫欧 @ 760A,15V1.86 毫欧 @ 650A,15V2.12 毫欧 @ 28A,10V2.2 毫欧 @ 100A,10V2.3 毫欧 @ 20A,10V2.3 毫欧 @ 5A,10V2.4mOhm @ 20A, 10V, 2.3mOhm @ 20A, 10V2.43 毫欧 @ 10A, 10V2.45 毫欧 @ 10A,10V,0.75 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 250µA800mV @ 250µA900mV @ 250µA950mV @ 250µA,1.3V @ 250µA1V @ 250µA1V @ 250µA,800mV @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.3V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.68nC @ 4.5V,1.14nC @ 4.5V0.7nC @ 10V0.7nC @ 4.5V0.8nC @ 4.5V0.9nC @ 10V0.9nC @ 4.5V0.9nC @ 4.5V,0.8nC @ 4.5V1nC @ 4.5V,1.22nC @ 4.5V1.1nC @ 4.5V,1.2nC @ 4.5V1.5nC @ 10V,3nC @ 10V1.8nC @ 10V,3nC @ 10V2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
12.08pF @ 1000V18.1pF @ 1000V20pF @ 30V27pF @ 30V28pF @ 15V,21pF @ 15V28pF @ 15V,34pF @ 15V29.3pF @ 25V38pF @ 10V,43pF @ 10V43.6pF @ 10V43.6pF @ 10V,53.5pF @ 10V53.5pF @ 10V62pF @ 10V
功率 - 最大值
260mW(Ta),1.3W(Tc)280mW(Ta),6W(Tc)290mW(Ta),340mW(Tc)300mW(Ta),420mW(Tc)330mW(Ta),1.09W(Tc)340mW400mW(Ta)490mW(Ta),8.33W(Tc)620mW620mW(Tc)740mW(Ta),1.25W(Tc)860mW
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(Tc)-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 125°C(Tc)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C-40°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
封装/外壳
6-PowerPair™6-PowerUDFN6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UFDFN 裸露焊盘6-VDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘6-WFDFN 裸露焊盘6-XFDFN 裸露焊盘8-PowerDFN8-PowerLDFN8-PowerSMD,扁平引线8-PowerTDFN
供应商器件封装
6-DFN(2x3)6-HUSON(2x2)6-PPAK(2x2)6-PowerPair™6-TDFN(2x2)6-TSOP6-TSSOP6-WDFNW(2.2x2.3)8-DFN-EP(3.3x3.3)8-DFN-EP(3x3)8-DFN(3.15x3.05)8-DFN(3.15x3.05)双通道
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
594结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-PDFN Dual
TSM6502CR RLG
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8DFN
Taiwan Semiconductor Corporation
5,125
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.37366
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道-60V24A(Tc),18A(Tc)34 毫欧 @ 5.4A,10V,68 毫欧 @ 4A,10V2.5V @ 250µA10.3nC @ 4.5V,9.5nC @ 4.5V1159pF @ 30V,930pF @ 30V40W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-PowerTDFN8-PDFN(5x6)
8-PowerPair
SIZ260DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8PWRPAIR
Vishay Siliconix
6,631
现货
1 : ¥9.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.90045
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-80V8.9A(Ta),24.7A(Tc),8.9A(Ta),24.6A(Tc)24.5 毫欧 @ 10A,10V,24.7 毫欧 @ 10A,10V2.4V @ 250µA27nC @ 10V820pF @ 40V4.3W(Ta),33W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-PowerWDFN8-PowerPair®(3.3x3.3)
DMPH4015SPSQ-13
DMTH6010LPDQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Diodes Incorporated
20,891
现货
1,605,000
工厂
1 : ¥12.52000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.17819
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V13.1A(Ta),47.6A(Tc)11 毫欧 @ 20A,10V3V @ 250µA40.2nC @ 10V2615pF @ 30V2.8W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerTDFNPowerDI5060-8
SI7252ADP-T1-GE3
SI7252ADP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8
Vishay Siliconix
10,683
现货
1 : ¥12.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.78804
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-100V9.3A(Ta),28.7A(Tc)18.6 毫欧 @ 10A,10V4V @ 250µA26.5nC @ 10V1266pF @ 50V3.6W(Ta),33.8W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® SO-8 双PowerPAK® SO-8 双
Pkg 5540
SQ3585EV-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Vishay Siliconix
12,016
现货
1 : ¥28.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥14.27131
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道-20V3.57A(Tc),2.5A(Tc)77 毫欧 @ 1A,4.5V,166 毫欧 @ 1A,4.5V1.5V @ 250µA2.5nC @ 4.5V,3.5nC @ 4.5V-1.67W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-23-6 细型,TSOT-23-66-TSOP
SIC 2N-CH 1200V 114A
NXH010P120MNF1PNG
SIC 2N-CH 1200V 114A
onsemi
50
现货
196
工厂
1 : ¥1,293.05000
托盘
-
托盘
在售碳化硅(SiC)2 N-通道(双)-1200V(1.2kV)114A(Tc)14 毫欧 @ 100A,20V4.3V @ 40mA454nC @ 20V4707pF @ 800V250W(Tj)-40°C ~ 175°C(TJ)--底座安装模块-
CAS120M12BM2
CAS120M12BM2
MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
Wolfspeed, Inc.
121
现货
1 : ¥4,476.64000
散装
散装
不适用于新设计碳化硅(SiC)2 个 N 通道(半桥)-1200V(1.2kV)193A(Tc)16 毫欧 @ 120A,20V2.6V @ 6mA(典型值)378nC @ 20V6470pF @ 800V925W-40°C ~ 150°C(TJ)--底座安装模块模块
SOT363
NX6008NBKSX
MOSFET 2N-CH 60V 0.22A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
42,169
现货
1 : ¥2.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49541
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V220mA(Ta)2.7 欧姆 @ 300mA,4.5V900mV @ 250µA0.7nC @ 4.5V27pF @ 30V260mW(Ta),1.3W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-TSSOP
6DFN
PMDXB290UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.93A 6DFN
Nexperia USA Inc.
1,987
现货
1 : ¥3.82000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.65320
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-20V930mA(Ta),3.5A(Tc)320 毫欧 @ 1.2A,4.5V1V @ 250µA0.9nC @ 4.5V43.6pF @ 10V280mW(Ta),6W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-XFDFN 裸露焊盘DFN1010B-6
Pkg 5540
SQ3987EV-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Vishay Siliconix
6,692
现货
1 : ¥4.88000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.85341
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)-30V3A(Tc)133 毫欧 @ 1.5A,10V2.5V @ 250µA12.2nC @ 10V570pF @ 15V1.67W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-23-6 细型,TSOT-23-66-TSOP
8 SO
DMT3020LSDQ-13
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
Diodes Incorporated
21,258
现货
1,527,500
工厂
1 : ¥5.20000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.76222
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-30V16A(Tc)20 毫欧 @ 9A,10V2.5V @ 250µA7nC @ 10V393pF @ 15V1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
8 SO
DMP3036SSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8SO
Diodes Incorporated
17,461
现货
32,500
工厂
1 : ¥6.50000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.45720
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平门30V18.0A(Tc)20 毫欧 @ 9A,10V3V @ 250µA16.5nC @ 10V1931pF @ 15V1.2W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
8-SOIC
SQ4532AEY-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Vishay Siliconix
2,780
现货
1 : ¥6.83000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.88310
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道-30V7.3A(Tc),5.3A(Tc)31 毫欧 @ 4.9A,10V,70 毫欧 @ 3.5A,10V2.5V @ 250µA7.8nC @ 10V,10.2nC @ 10V535pF @ 15V,528pF @ 15V3.3W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
8-SOP
TSM8568CS RLG
MOSFET N/P-CH 30V 15A/13A 8SOP
Taiwan Semiconductor Corporation
21,267
现货
1 : ¥7.07000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.68886
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道-30V15A(Tc),13A(Tc)16 毫欧 @ 8A,10V,24 毫欧 @ 7A,10V2.5V @ 250µA7nC @ 4.5V,11nC @ 4.5V646pF @ 15V,1089pF @ 15V6W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOP
8-PowerWDFN
SIZ322DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
Vishay Siliconix
8,145
现货
1 : ¥7.15000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.71694
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-25V30A(Tc)6.35 毫欧 @ 15A,10V2.4V @ 250µA20.1nC @ 10V950pF @ 12.5V16.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-PowerWDFN8-Power33(3x3)
8-PowerWDFN
SIZ342DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Vishay Siliconix
18,553
现货
1 : ¥7.24000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.98138
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售-2 N-通道(双)-30V15.7A(Ta),100A(Tc)11.5 毫欧 @ 14A,10V2.4V @ 250µA20nC @ 10V650pF @ 15V3.6W,4.3W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-PowerWDFN8-Power33(3x3)
8-SOIC
SQ4946CEY-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Vishay Siliconix
10,826
现货
1 : ¥7.80000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.24478
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V7A(Tc)40 毫欧 @ 4.5A,10V2.5V @ 250µA22nC @ 10V865pF @ 25V4W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
8 SOIC
NTMC083NP10M5L
MOSFET N/P-CH 100V 2.9A 8SOIC
onsemi
3,962
现货
1 : ¥7.80000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.15392
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道-100V2.9A(Ta),4.1A(Tc),2.4A(Ta),3.3A(Tc)83 毫欧 @ 1.5A,10V,131 毫欧 @ 1.5A,10V-5nC @ 10V,8.4nC @ 10V222pF @ 50V,525pF @ 50V1.6W(Ta),3.1W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
8-SOIC
SQ4940AEY-T1_BE3
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Vishay Siliconix
12,388
现货
1 : ¥7.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.25486
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-40V8A(Tc)24 毫欧 @ 5.3A,10V2.5V @ 250µA43nC @ 10V741pF @ 20V4W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
8 SO
DMNH6042SSDQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 16.7A 8SO
Diodes Incorporated
7,036
现货
5,000
工厂
1 : ¥7.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.25711
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V16.7A(Tc)50 毫欧 @ 5.1A,10V3V @ 250µA4.2nC @ 4.5V584pF @ 25V2.1W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
9,038
现货
1 : ¥7.97000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.29298
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)-60V12A(Tc)68 毫欧 @ 6A,10V2.5V @ 250µA16.4nC @ 10V870pF @ 30V3.5W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-PowerTDFN8-PDFN(5x6)
8-DFN
AONY36354
MOSFET 2N-CH 30V 18.5A/49A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
7,062
现货
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.45212
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N 沟道(双)非对称型-30V18.5A(Ta),49A(Tc),27A(Ta),85A(Tc)5.3 毫欧 @ 20A,10V,2.6 毫欧 @ 20A,10V2.1V @ 250µA,1.9V @ 250µA20nC @ 10V,40nC @ 10V820pF @ 15V,1890pF @ 15V3.1W(Ta),21W(Tc),3.1W(Ta),31.5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-PowerSMD,扁平引线8-DFN(5x6)
8-SOIC
SQ9945BEY-T1_BE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Vishay Siliconix
815
现货
1 : ¥8.62000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.57541
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V5.4A(Tc)64 毫欧 @ 3.4A,10V2.5V @ 250µA12nC @ 10V470pF @ 25V4W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
14,206
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.29259
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N 沟道(双)非对称型-30V50A(Tc)4.7 毫欧 @ 20A,10V1.9V @ 250µA29nC @ 10V1330pF @ 15V3.4W(Ta),33W(Tc),3.1W(Ta),30W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-PowerVDFN8-DFN-EP(3.3x3.3)
PG-DSO-8-902
IRF7341TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Infineon Technologies
5,440
现货
1 : ¥8.95000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.69866
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 沟道逻辑电平门55V4.7A(Tc)50 毫欧 @ 4.7A,10V1V @ 250µA36nC @ 10V740pF @ 25V2W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PG-DSO-8-902
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。