FET、MOSFET 阵列

结果 : 5
制造商
EPCTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-eGaN®NexFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 N 通道（半桥）2 个 P 沟道（双）3 N 沟道（半桥 + 同步自举）
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V80V100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A，500mA9.5A，38A16A（Ta）20A60A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.5 毫欧 @ 20A，10V14.5 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA2.5V @ 2.5mA，2.5V @ 10mA2.5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V2.5nC @ 5V，10nC @ 5V5.8nC @ 4.5V160nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
16pF @ 50V，7pF @ 50V230pF @ 15V，590pF @ 15V300pF @ 40V，1100pF @ 40V900pF @ 15V6200pF @ 15V
功率 - 最大值
6W46W-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳
8-PowerLDFN9-VFBGAPowerPAK® SO-8 双模具
供应商器件封装
8-LSON（3.3x3.3）9-BGA（1.35x1.35）PowerPAK® SO-8 双模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 Dual
SI7997DP-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Vishay Siliconix
11,967
现货
1 : ¥17.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.82961
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
-
30V
60A
5.5 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
160nC @ 10V
6200pF @ 15V
46W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
8SON
CSD87330Q3D
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON
Texas Instruments
28,734
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.76464
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 N 通道（半桥）
逻辑电平门
30V
20A
-
2.1V @ 250µA
5.8nC @ 4.5V
900pF @ 15V
6W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerLDFN
8-LSON（3.3x3.3）
eGaN Series
EPC2107
GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
EPC
5,402
现货
1 : ¥16.66000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.49878
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET（氮化镓）
3 N 沟道（半桥 + 同步自举）
-
100V
1.7A，500mA
320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V
2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA
0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V
16pF @ 50V，7pF @ 50V
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
9-VFBGA
9-BGA（1.35x1.35）
MOSFET Array
EPC2111
GANFET 2N-CH 30V 16A DIE
EPC
19,824
现货
1 : ¥26.60000
剪切带（CT）
2,500 : ¥12.94210
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET（氮化镓）
2 个 N 通道（半桥）
-
30V
16A（Ta）
19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V
2.5V @ 5mA
2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V
230pF @ 15V，590pF @ 15V
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2105
GANFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
EPC
1,466
现货
1 : ¥75.94000
剪切带（CT）
500 : ¥47.88316
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET（氮化镓）
2 个 N 通道（半桥）
-
80V
9.5A，38A
14.5 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V
2.5V @ 2.5mA，2.5V @ 10mA
2.5nC @ 5V，10nC @ 5V
300pF @ 40V，1100pF @ 40V
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。