FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30V100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A16A（Ta）23A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.3 毫欧 @ 20A，5V19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V70 毫欧 @ 2A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 5.5mA2.5V @ 5mA2.5V @ 600µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.73nC @ 5V2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V7nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
75pF @ 50V230pF @ 15V，590pF @ 15V800pF @ 50V
库存选项
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媒体
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
eGaN Series
EPC2106
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
72,514
现货
1 : ¥15.19000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.83714
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET（氮化镓）
2 个 N 通道（半桥）
-
100V
1.7A
70 毫欧 @ 2A，5V
2.5V @ 600µA
0.73nC @ 5V
75pF @ 50V
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2104
GANFET 2N-CH 100V 23A DIE
EPC
4,472
现货
1 : ¥75.94000
剪切带（CT）
500 : ¥47.88316
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET（氮化镓）
2 个 N 通道（半桥）
-
100V
23A
6.3 毫欧 @ 20A，5V
2.5V @ 5.5mA
7nC @ 5V
800pF @ 50V
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
MOSFET Array
EPC2111
GANFET 2N-CH 30V 16A DIE
EPC
19,834
现货
1 : ¥26.60000
剪切带（CT）
2,500 : ¥12.94210
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET（氮化镓）
2 个 N 通道（半桥）
-
30V
16A（Ta）
19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V
2.5V @ 5mA
2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V
230pF @ 15V，590pF @ 15V
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。