FET、MOSFET 阵列

结果 : 15
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-OptiMOS™PowerTrench®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)
FET 功能
-逻辑电平栅极,1.8V 驱动逻辑电平栅极,2.5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
230mA250mA295mA540mA700mA750mA860mA870mA880mA1A1A(Ta)4A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
39.1 毫欧 @ 2A,4.5V45 毫欧 @ 3.5A,10V150 毫欧 @ 1A,4.5V190 毫欧 @ 1.3A,10V238 毫欧 @ 1A,4.5V300 毫欧 @ 500mA,4.5V300 毫欧 @ 700mA,4.5V340 毫欧 @ 200mA,4.5V350 毫欧 @ 200mA,4.5V400 毫欧 @ 750mA,4.5V400 毫欧 @ 880mA,2.5V550 毫欧 @ 540mA,4.5V1.6 欧姆 @ 500mA,10V2.4 欧姆 @ 250mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
750mV @ 1.6µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 1mA1.5V @ 100µA1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.26nC @ 2.5V0.72nC @ 4.5V0.8nC @ 4.5V0.89nC @ 4.5V0.9nC @ 4.5V1.23nC @ 10V1.4nC @ 4.5V1.44nC @ 4.5V1.6nC @ 4.5V2nC @ 10V2.4nC @ 4.5V3.2nC @ 4.5V6.74nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
26pF @ 20V33pF @ 16V34pF @ 20V45pF @ 20V48pF @ 5V50pF @ 25V77pF @ 10V78pF @ 10V87pF @ 20V92pF @ 10V113pF @ 10V120pF @ 10V150pF @ 16V310pF @ 15V
功率 - 最大值
150mW200mW250mW300mW310mW320mW350mW350mW(Ta)400mW410mW500mW900mW(Tc)1W(Ta)2W(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-VSSOP,SC-88,SOT-3636-WDFN 裸露焊盘SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSSOP6-µDFN(2x2)PG-SOT363-POSC-88(SC-70-6)SC-88/SC70-6/SOT-363SOT-363TSMT6(SC-95)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果

显示
/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
162,763
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50539
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
230mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
310mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
80,550
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49292
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
295mA
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.9nC @ 4.5V
26pF @ 20V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
73,255
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.76434
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
860mA
350 毫欧 @ 200mA,4.5V
1.5V @ 250µA
0.72nC @ 4.5V
34pF @ 20V
410mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SOT-363 PKG
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
148,539
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82222
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
880mA
400 毫欧 @ 880mA,2.5V
750mV @ 1.6µA
0.26nC @ 2.5V
78pF @ 10V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT 363
DMN2004DWK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Diodes Incorporated
20,039
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.08998
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
540mA
550 毫欧 @ 540mA,4.5V
1V @ 250µA
-
150pF @ 16V
200mW
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT 363
FDG8850NZ
MOSFET 2N-CH 30V 750MA SC88
onsemi
23,977
现货
15,000
工厂
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.51651
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
750mA
400 毫欧 @ 750mA,4.5V
1.5V @ 250µA
1.44nC @ 4.5V
120pF @ 10V
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
TSMT6_TSMT6 Pkg
QS6K1FRATR
MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Rohm Semiconductor
13,863
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.55978
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,2.5V 驱动
30V
1A(Ta)
238 毫欧 @ 1A,4.5V
1.5V @ 1mA
2.4nC @ 4.5V
77pF @ 10V
900mW(Tc)
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSMT6(SC-95)
10,654
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.11546
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平栅极,1.8V 驱动
20V
4A(Ta)
45 毫欧 @ 3.5A,10V
1.2V @ 1mA
6.74nC @ 4.5V
480pF @ 10V
1W(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
6-WDFN 裸露焊盘
6-µDFN(2x2)
SOT363
PMGD280UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
86,002
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.76434
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
870mA
340 毫欧 @ 200mA,4.5V
1V @ 250µA
0.89nC @ 4.5V
45pF @ 20V
400mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SOT 363
DMN3190LDW-7
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Diodes Incorporated
6,367
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.67385
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
1A
190 毫欧 @ 1.3A,10V
2.8V @ 250µA
2nC @ 10V
87pF @ 20V
320mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
5,376
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.01985
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,1.8V 驱动
30V
4A(Ta)
39.1 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 1mA
3.2nC @ 4.5V
310pF @ 15V
2W(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
6-WDFN 裸露焊盘
6-µDFN(2x2)
SOT 363
FDG6335N
MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
onsemi
10,979
现货
36,000
工厂
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.51405
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
700mA
300 毫欧 @ 700mA,4.5V
1.5V @ 250µA
1.4nC @ 4.5V
113pF @ 10V
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
SOT 363
DMN33D8LDW-7
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Diodes Incorporated
19,350
现货
42,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.55673
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
250mA
2.4 欧姆 @ 250mA,10V
1.5V @ 100µA
1.23nC @ 10V
48pF @ 5V
350mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
PJT7800_R1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
15,905
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88160
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
20V
1A(Ta)
150 毫欧 @ 1A,4.5V
1V @ 250µA
1.6nC @ 4.5V
92pF @ 10V
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT 363
SI3134KDWA-TP
MOSFET 2N-CH 20V 0.75A SOT363
Micro Commercial Co
2,990
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.71241
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
20V
750mA
300 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
33pF @ 16V
150mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
显示
/ 15

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。