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FDG6335N 已经过时且不再制造。
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类别 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 300 毫欧 @ 700mA，4.5V |
制造商 onsemi | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.5V @ 250µA |
系列 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 1.4nC @ 4.5V |
包装 卷带（TR） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 113pF @ 10V |
零件状态 停产 | 功率 - 最大值 300mW |
技术 MOSFET（金属氧化物） | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
配置 2 N-通道（双） | 安装类型 表面贴装型 |
FET 功能 逻辑电平门 | 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
漏源电压（Vdss） 20V | 供应商器件封装 SC-88（SC-70-6） |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 700mA | 基本产品编号 |
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替代品 (3)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| NTJD4401NT1G | onsemi | 0 | NTJD4401NT1GOSCT-ND | ¥4.05000 | MFR Recommended |
| AO7800 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1094-2-ND | ¥1.05853 | 类似 |
| PMGD175XNEX | Nexperia USA Inc. | 20 | 1727-2695-1-ND | ¥4.88000 | 类似 |
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