FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
HEXFET®TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）2 个 P 沟道（双）
FET 功能
-逻辑电平门
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A6A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
26.4 毫欧 @ 8A，10V63 毫欧 @ 3.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 10µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.8nC @ 4.5V40nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
270pF @ 25V1425pF @ 15V
功率 - 最大值
1.5W2.6W（Ta），23W（Tc）
封装/外壳
6-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8 双
供应商器件封装
6-PQFN 双通道（2x2）PowerPAK® 1212-8 双
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
6-VDFN
IRLHS6376TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN
Infineon Technologies
137,648
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.74870
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
30V
3.6A
63 毫欧 @ 3.4A，4.5V
1.1V @ 10µA
2.8nC @ 4.5V
270pF @ 25V
1.5W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-PowerVDFN
6-PQFN 双通道（2x2）
PowerPAK® 1212-8 Dual
SI7223DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212
Vishay Siliconix
8,149
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.05602
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
-
30V
6A（Tc）
26.4 毫欧 @ 8A，10V
2.5V @ 250µA
40nC @ 10V
1425pF @ 15V
2.6W（Ta），23W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8 双
PowerPAK® 1212-8 双
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。