FET、MOSFET 阵列

结果 : 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 个 N 通道（半桥）3 N 沟道（半桥 + 同步自举）
漏源电压（Vdss）
60V80V100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A1.7A，500mA9.5A，38A23A28A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.4 毫欧 @ 20A，5V5.5 毫欧 @ 20A，5V6.3 毫欧 @ 20A，5V14.5 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V70 毫欧 @ 2A，5V320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA2.5V @ 2.5mA，2.5V @ 10mA2.5V @ 5.5mA2.5V @ 600µA2.5V @ 7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V0.73nC @ 5V2.5nC @ 5V，10nC @ 5V6.5nC @ 5V6.8nC @ 5V7nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
16pF @ 50V，7pF @ 50V75pF @ 50V300pF @ 40V，1100pF @ 40V760pF @ 40V800pF @ 50V830pF @ 30V
封装/外壳
9-VFBGA模具
供应商器件封装
9-BGA（1.35x1.35）模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
eGaN Series
EPC2106
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
72,514
现货
1 : ¥15.19000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.83714
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET（氮化镓）
2 个 N 通道（半桥）
-
100V
1.7A
70 毫欧 @ 2A，5V
2.5V @ 600µA
0.73nC @ 5V
75pF @ 50V
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2103
GANFET 2N-CH 80V 28A DIE
EPC
5,000
现货
1 : ¥79.96000
剪切带（CT）
500 : ¥50.37058
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET（氮化镓）
2 个 N 通道（半桥）
-
80V
28A
5.5 毫欧 @ 20A，5V
2.5V @ 7mA
6.5nC @ 5V
760pF @ 40V
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2104
GANFET 2N-CH 100V 23A DIE
EPC
4,466
现货
1 : ¥75.94000
剪切带（CT）
500 : ¥47.88316
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET（氮化镓）
2 个 N 通道（半桥）
-
100V
23A
6.3 毫欧 @ 20A，5V
2.5V @ 5.5mA
7nC @ 5V
800pF @ 50V
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2107
GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
EPC
5,412
现货
1 : ¥16.66000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.49878
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET（氮化镓）
3 N 沟道（半桥 + 同步自举）
-
100V
1.7A，500mA
320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V
2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA
0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V
16pF @ 50V，7pF @ 50V
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
9-VFBGA
9-BGA（1.35x1.35）
eGaN Series
EPC2102
GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
EPC
2,615
现货
1 : ¥75.94000
剪切带（CT）
500 : ¥47.88316
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET（氮化镓）
2 个 N 通道（半桥）
-
60V
23A
4.4 毫欧 @ 20A，5V
2.5V @ 7mA
6.8nC @ 5V
830pF @ 30V
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2105
GANFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
EPC
1,466
现货
1 : ¥75.94000
剪切带（CT）
500 : ¥47.88316
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET（氮化镓）
2 个 N 通道（半桥）
-
80V
9.5A，38A
14.5 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V
2.5V @ 2.5mA，2.5V @ 10mA
2.5nC @ 5V，10nC @ 5V
300pF @ 40V，1100pF @ 40V
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。