FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）2 个 P 沟道（双）
漏源电压（Vdss）
20V30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.9A8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 8.3A，4.5V22 毫欧 @ 6.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
33nC @ 10V40nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1200pF @ 10V1360pF @ 15V
功率 - 最大值
900mW3.1W
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SOIC
FDS4935BZ
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
onsemi
40,979
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.08997
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
30V
6.9A
22 毫欧 @ 6.9A，10V
3V @ 250µA
40nC @ 10V
1360pF @ 15V
900mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
8-SOIC
SI9926CDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Vishay Siliconix
24,276
现货
1 : ¥8.37000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.46234
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
20V
8A
18 毫欧 @ 8.3A，4.5V
1.5V @ 250µA
33nC @ 10V
1200pF @ 10V
3.1W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。