FET、MOSFET 阵列

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Texas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-NexFET™TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N 沟道(双)共漏2 N-通道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180mA,100mA6A25A30A(Ta),108A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4 毫欧 @ 7A,10V14 毫欧 @ 6A,10V3 欧姆 @ 50mA,4V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA1.15V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12.2nC @ 10V12.5nC @ 4.5V60nC @ 10V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
9.5pF @ 3V542pF @ 15V1800pF @ 15V2600pF @ 15V
功率 - 最大值
150mW3.1W5.2W(Ta),69.4W(Tc)8.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
封装/外壳
8-PowerLDFN8-PowerSMD,扁平引线PowerPAK® 1212-8SCDSOT-563,SOT-666
供应商器件封装
8-DFN(3x3)8-LSON(5x6)ES6PowerPAK® 1212-8SCD
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
43,594
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.28271
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
6A
14 毫欧 @ 6A,10V
2.3V @ 250µA
12.2nC @ 10V
542pF @ 15V
3.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-PowerSMD,扁平引线
8-DFN(3x3)
SOT-563
SSM6L35FE,LM
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Toshiba Semiconductor and Storage
22,960
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.56043
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
180mA,100mA
3 欧姆 @ 50mA,4V
1V @ 1mA
-
9.5pF @ 3V
150mW
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
ES6
8-SON (5x6)
CSD87352Q5D
MOSFET 2N-CH 30V 25A 8LSON
Texas Instruments
15,881
现货
1 : ¥10.51000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.25963
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
25A
-
1.15V @ 250µA
12.5nC @ 4.5V
1800pF @ 15V
8.5W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-PowerLDFN
8-LSON(5x6)
PowerPAK® 1212-8 Dual
SISF04DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
5,991
现货
1 : ¥10.59000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.38226
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)共漏
-
30V
30A(Ta),108A(Tc)
4 毫欧 @ 7A,10V
2.3V @ 250µA
60nC @ 10V
2600pF @ 15V
5.2W(Ta),69.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SCD
PowerPAK® 1212-8SCD
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。