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市场产品
SISF04DN-T1-GE3 | ||
|---|---|---|
DigiKey 零件编号 | 742-SISF04DN-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） 742-SISF04DN-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） 742-SISF04DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | SISF04DN-T1-GE3 | |
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK 1212-8 | |
原厂标准交货期 | 10 周 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | MOSFET - 阵列 30V 30A（Ta），108A（Tc） 5.2W（Ta），69.4W（Tc） 表面贴装型 PowerPAK® 1212-8SCD | |
规格书 | 规格书 | |
EDA/CAD 模型 | SISF04DN-T1-GE3 型号 | |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 2 N 沟道（双）共漏 | |
FET 功能 | - | |
漏源电压（Vdss） | 30V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Ta），108A（Tc） | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 毫欧 @ 7A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2600pF @ 15V | |
功率 - 最大值 | 5.2W（Ta），69.4W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8SCD | |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8SCD | |
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥10.59000 | ¥10.59 |
| 10 | ¥8.66900 | ¥86.69 |
| 100 | ¥6.74230 | ¥674.23 |
| 500 | ¥5.71452 | ¥2,857.26 |
| 1,000 | ¥4.65511 | ¥4,655.11 |
卷带（TR）
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 3,000 | ¥4.38226 | ¥13,146.78 |
| 6,000 | ¥4.17358 | ¥25,041.48 |
| 9,000 | ¥3.98095 | ¥35,828.55 |
制造商标准包装
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