Name: NVMFD5C650NLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFD5C650NLT1GOSTR-ND
Price: 37.52 CNY
Availability: OutOfStock

NVMFD5C650NLT1G
DigiKey 零件编号	NVMFD5C650NLT1GOSTR-ND - 卷带（TR） NVMFD5C650NLT1GOSCT-ND - 剪切带（CT） NVMFD5C650NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	NVMFD5C650NLT1G
描述	MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
原厂标准交货期	26 周
客户内部零件编号
详细描述	MOSFET - 阵列 60V 21A（Ta），111A（Tc） 3.5W（Ta），125W（Tc）表面贴装型 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	NVMFD5C650NLT1G 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列
制造商	onsemi
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
技术	MOSFET（金属氧化物）
配置	2 N-通道（双）
FET 功能	-
漏源电压（Vdss）	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	21A（Ta），111A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 98µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	16nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2546pF @ 25V
功率 - 最大值	3.5W（Ta），125W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	汽车级
资质	AEC-Q101
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	8-PowerTDFN
供应商器件封装	8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
基本产品编号	NVMFD5