FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）N 和 P 沟道
漏源电压（Vdss）
20V40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.9A，2.1A8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19 毫欧 @ 8A，10V58 毫欧 @ 2.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.8nC @ 10V12nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
150pF @ 10V415pF @ 20V
功率 - 最大值
1.4W，1.3W2W
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOP8-SOIC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
1,063,767
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.99089
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
40V
8A
19 毫欧 @ 8A，10V
2.4V @ 250µA
12nC @ 10V
415pF @ 20V
2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
Pkg 5540
SI3585CDV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Vishay Siliconix
8,078
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.46768
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
3.9A，2.1A
58 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1.5V @ 250µA
4.8nC @ 10V
150pF @ 10V
1.4W，1.3W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
6-TSOP
显示
/ 2

FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。