FET、MOSFET 阵列

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedEPC
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N 沟道(双)共源2 个 N 通道(半桥)N 和 P 沟道互补型
漏源电压(Vdss)
60V80V100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA(Ta),360mA(Ta)1.7A5A23A28A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.4 毫欧 @ 20A,5V5.5 毫欧 @ 20A,5V70 毫欧 @ 2A,5V1.7 欧姆 @ 500mA,10V,4 欧姆 @ 500mA,10V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA,3V @ 250µA2.5V @ 600µA2.5V @ 7mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.3nC @ 4.5V,0.28nC @ 4.5V0.73nC @ 5V6.5nC @ 5V6.8nC @ 5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
30pF @ 25V,25pF @ 25V75pF @ 50V760pF @ 40V830pF @ 30V-
功率 - 最大值
450mW(Ta)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
封装/外壳
SOT-563,SOT-666模具
供应商器件封装
SOT-563模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
eGaN Series
EPC2106
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
62,514
现货
1 : ¥15.19000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.83714
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET(氮化镓)
2 个 N 通道(半桥)
-
100V
1.7A
70 毫欧 @ 2A,5V
2.5V @ 600µA
0.73nC @ 5V
75pF @ 50V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2221
EPC2221
GANFET 2N-CH 100V 5A DIE
EPC
4,954
现货
1 : ¥22.49000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.14541
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET(氮化镓)
2 N 沟道(双)共源
-
100V
5A
-
-
-
-
-
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2103
GANFET 2N-CH 80V 28A DIE
EPC
5,983
现货
1 : ¥79.96000
剪切带(CT)
500 : ¥50.37058
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET(氮化镓)
2 个 N 通道(半桥)
-
80V
28A
5.5 毫欧 @ 20A,5V
2.5V @ 7mA
6.5nC @ 5V
760pF @ 40V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2102
GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
EPC
3,615
现货
1 : ¥75.94000
剪切带(CT)
500 : ¥47.88316
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET(氮化镓)
2 个 N 通道(半桥)
-
60V
23A
4.4 毫欧 @ 20A,5V
2.5V @ 7mA
6.8nC @ 5V
830pF @ 30V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
SOT 563
DMG1029SVQ-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
361
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.08998
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
-
60V
500mA(Ta),360mA(Ta)
1.7 欧姆 @ 500mA,10V,4 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA,3V @ 250µA
0.3nC @ 4.5V,0.28nC @ 4.5V
30pF @ 25V,25pF @ 25V
450mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。