FET、MOSFET 阵列

结果 : 24
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiRenesas Electronics CorporationSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™STripFET™ F7TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产在售
配置
2 N 沟道(双)非对称型2 N-通道(双)N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
40V60V100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.5A(Ta)9A(Ta),32A(Tc)12.5A16A16A(Ta)16A(Tc)16.7A(Tc)17.6A(Ta),70A(Tc)18A(Tc)20A20A(Tc),54A(Tc)21A(Ta),111A(Tc)26A26A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.2 毫欧 @ 20A,10V5.4 毫欧 @ 25A,10V15.6 毫欧 @ 10A,10V16 毫欧 @ 10A,10V16毫欧 @ 6A,10V16.3 毫欧 @ 5A,10V20 毫欧 @ 6A,10V,8.6 毫欧 @ 10A,10V25 毫欧 @ 3A,10V35 毫欧 @ 15A,10V35 毫欧 @ 17A,10V36 毫欧 @ 17A,10V39 毫欧 @ 8A,10V49 毫欧 @ 5A,10V50 毫欧 @ 5.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 250µA2.1V @ 16µA2.1V @ 1mA2.1V @ 90µA2.2V @ 98µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 16µA3.5V @ 250µA3.5V @ 9µA4V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.2nC @ 4.5V5.6nC @ 5V6.9nC @ 10V7nC @ 10V9.4nC @ 10V10nC @ 10V11nC @ 10V14.5nC @ 10V15nC @ 10V16nC @ 10V16nC @ 10V,32nC @ 10V16nC @ 4.5V16.5nC @ 5V16.8nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
489pF @ 30V490pF @ 25V500pF @ 25V584pF @ 25V725pF @ 25V750pF @ 25V845pF @ 25V879pF @ 25V990pF @ 25V1000pF @ 25V,2100pF @ 25V1020pF @ 25V1061pF @ 25V1105pF @ 25V1108pF @ 25V
功率 - 最大值
1W(Ta),25W(Tc)2.1W2.4W(Ta),68W(Tc)3.1W(Ta),36W(Tc)3.2W(Ta),50W(Tc)3.5W(Ta),125W(Tc)17.2W27W(Tc),48W(Tc)29W32W32W(Ta)38W43W53W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)175°C
资质
AEC-Q100AEC-Q101
安装类型
表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼
封装/外壳
8-PowerLDFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® SO-8 双SOT-1205,8-LFPAK56
供应商器件封装
8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)8-HSON(5x5.4)8-SO8-SOICLFPAK56DPG-TDSON-8-10PG-TDSON-8-4PowerDI5060-8(R 类)PowerFlat™(5x6)PowerPAK® SO-8 双通道不对称
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
24结果
搜索条目

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/ 24
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
PG-TDSON-8-10
IPG16N10S4L61AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Infineon Technologies
14,019
现货
1 : ¥10.16000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.01040
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门100V16A61 毫欧 @ 16A,10V2.1V @ 90µA11nC @ 10V845pF @ 25V29W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装,可润湿侧翼8-PowerVDFNPG-TDSON-8-10
PG-TDSON-8-4
IPG20N10S4L35ATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
37,269
现货
1 : ¥12.85000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.07144
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门100V20A35 毫欧 @ 17A,10V2.1V @ 16µA17.4nC @ 10V1105pF @ 25V43W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerVDFNPG-TDSON-8-4
FDMS3622S
IPG20N10S436AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
37,720
现货
1 : ¥13.33000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.25184
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-100V20A36 毫欧 @ 17A,10V3.5V @ 16µA15nC @ 10V990pF @ 25V43W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装,可润湿侧翼8-PowerVDFNPG-TDSON-8-10
8 SO
DMNH6042SSDQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 16.7A 8SO
Diodes Incorporated
7,036
现货
5,000
工厂
1 : ¥7.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.25711
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V16.7A(Tc)50 毫欧 @ 5.1A,10V3V @ 250µA4.2nC @ 4.5V584pF @ 25V2.1W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
LFPAK56D
BUK9K18-40E,115
MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Nexperia USA Inc.
4,302
现货
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.70829
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门40V30A16 毫欧 @ 10A,10V2.1V @ 1mA14.5nC @ 10V1061pF @ 25V38W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-1205,8-LFPAK56LFPAK56D
PG-TDSON-8-4
IPG16N10S461ATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Infineon Technologies
14,418
现货
1 : ¥9.84000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.88123
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-100V16A61 毫欧 @ 16A,10V3.5V @ 9µA7nC @ 10V490pF @ 25V29W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerVDFNPG-TDSON-8-4
LFPAK56D
BUK9K17-60EX
MOSFET 2N-CH 60V 26A LFPAK56D
Nexperia USA Inc.
5,083
现货
1 : ¥11.46000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.03156
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V26A15.6 毫欧 @ 10A,10V2.1V @ 1mA16.5nC @ 5V2223pF @ 25V53W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q100表面贴装型SOT-1205,8-LFPAK56LFPAK56D
8 Power TDFN
NVMFD5C650NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
onsemi
900
现货
1 : ¥38.94000
剪切带(CT)
1,500 : ¥20.12943
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V21A(Ta),111A(Tc)4.2 毫欧 @ 20A,10V2.2V @ 98µA16nC @ 4.5V2546pF @ 25V3.5W(Ta),125W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerTDFN8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
LFPAK56D
BUK9K52-60E,115
MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Nexperia USA Inc.
13,265
现货
1 : ¥8.05000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.52423
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V16A49 毫欧 @ 5A,10V2.1V @ 1mA10nC @ 10V725pF @ 25V32W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-1205,8-LFPAK56LFPAK56D
LFPAK56D
BUK9K52-60RAX
MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Nexperia USA Inc.
2,438
现货
1 : ¥9.19000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.04335
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V16A(Ta)49 毫欧 @ 5A,10V2.1V @ 1mA5.6nC @ 5V725pF @ 25V32W(Ta)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-1205,8-LFPAK56LFPAK56D
SQJ264EP-T1_GE3
SQJ264EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Vishay Siliconix
5,700
现货
1 : ¥12.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.66682
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N 沟道(双)非对称型-60V20A(Tc),54A(Tc)20 毫欧 @ 6A,10V,8.6 毫欧 @ 10A,10V3.5V @ 250µA16nC @ 10V,32nC @ 10V1000pF @ 25V,2100pF @ 25V27W(Tc),48W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型PowerPAK® SO-8 双PowerPAK® SO-8 双通道不对称
LFPAK56D
BUK9K89-100E,115
MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
Nexperia USA Inc.
1,325
现货
1 : ¥8.86000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.41947
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门100V12.5A85 毫欧 @ 5A,10V2.1V @ 1mA16.8nC @ 10V1108pF @ 25V38W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-1205,8-LFPAK56LFPAK56D
4,310
现货
1 : ¥16.50000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.44801
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V16A(Tc)39 毫欧 @ 8A,10V2.5V @ 250µA17nC @ 10V750pF @ 25V1W(Ta),25W(Tc)175°C汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerLDFN8-HSON(5x5.4)
8 Power TDFN
NVMFD5C462NT1G
MOSFET 2N-CH 40V 17.6A/70A 8DFN
onsemi
900
现货
1 : ¥20.57000
剪切带(CT)
1,500 : ¥9.75288
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-40V17.6A(Ta),70A(Tc)5.4 毫欧 @ 25A,10V3.5V @ 250µA16nC @ 10V1020pF @ 25V3.2W(Ta),50W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerTDFN8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
8 SO
DMC4040SSDQ-13
MOSFET N/P-CH 40V 7.5A 8SO
Diodes Incorporated
2,478
现货
25,000
工厂
1 : ¥6.83000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.82447
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道互补型逻辑电平门40V7.5A(Ta)25 毫欧 @ 3A,10V1.8V @ 250µA16nC @ 4.5V1790pF @ 20V17.2W-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
PG-TDSON-8-10
IPG16N10S461AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Infineon Technologies
9,349
现货
1 : ¥10.16000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.01040
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-100V16A61 毫欧 @ 16A,10V3.5V @ 9µA7nC @ 10V490pF @ 25V29W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装,可润湿侧翼8-PowerVDFNPG-TDSON-8-10
PG-TDSON-8-10
IPG20N10S4L35AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
3,095
现货
1 : ¥13.17000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.20061
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门100V20A35 毫欧 @ 17A,10V2.1V @ 16µA17.4nC @ 10V1105pF @ 25V43W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装,可润湿侧翼8-PowerVDFNPG-TDSON-8-10
8 Power TDFN
NVMFD5C650NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥37.15000
剪切带(CT)
1,500 : ¥19.21147
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V21A(Ta),111A(Tc)4.2 毫欧 @ 20A,10V2.2V @ 98µA16nC @ 4.5V2546pF @ 25V3.5W(Ta),125W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerTDFN8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
8 Power TDFN
NVMFD016N06CT1G
MOSFET 2N-CH 60V 9A/32A 8DFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥17.64000
剪切带(CT)
1,500 : ¥8.36881
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V9A(Ta),32A(Tc)16.3 毫欧 @ 5A,10V4V @ 25µA6.9nC @ 10V489pF @ 30V3.1W(Ta),36W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerTDFN8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
8 Power TDFN
NVMFWD016N06CT1G
MOSFET 2N-CH 60V 9A/32A 8DFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥19.19000
剪切带(CT)
1,500 : ¥9.12060
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V9A(Ta),32A(Tc)16.3 毫欧 @ 5A,10V4V @ 25µA6.9nC @ 10V489pF @ 30V3.1W(Ta),36W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerTDFN8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
8 SOIC
DMNH6042SSD-13
MOSFET 2N-CH 60V 16.7A 8SO
Diodes Incorporated
0
现货
12,500
工厂
查看交期
2,500 : ¥3.06658
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V16.7A(Tc)50 毫欧 @ 5.1A,10V3V @ 250µA4.2nC @ 4.5V584pF @ 25V2.1W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
MOSFET 2N-CH 40V 18A POWERFLAT
STL52DN4LF7AG
MOSFET 2N-CH 40V 18A POWERFLAT
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
3,000 : ¥4.70073
卷带(TR)
卷带(TR)
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-40V18A(Tc)16毫欧 @ 6A,10V2.5V @ 250µA9.4nC @ 10V500pF @ 25V65W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerVDFNPowerFlat™(5x6)
MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERDI50
DMNH6035SPDWQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERDI50
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
2,500 : ¥4.94281
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V33A(Tc)35 毫欧 @ 15A,10V3V @ 250µA16nC @ 10V879pF @ 25V2.4W(Ta),68W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装,可润湿侧翼8-PowerTDFNPowerDI5060-8(R 类)
MOSFET 60V 26A LFPAK56D
BUK9K17-60E/1X
MOSFET 60V 26A LFPAK56D
Nexperia USA Inc.
0
现货
停产
-
散装
停产--逻辑电平门60V26A(Ta)15.6 毫欧 @ 10A,10V2.1V @ 1mA16.5nC @ 5V2223pF @ 25V53W(Ta)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-1205,8-LFPAK56LFPAK56D
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。