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FET、MOSFET 阵列
结果 : 3
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配置
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压（Vdss） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0 现货 | 停产 | 卷带（TR） | 停产 | MOSFET（金属氧化物） | N 和 P 沟道 | - | 60V，300V | 1.3A，300mA | 550 毫欧 @ 650mA，10V | 1.95V @ 20mA | 2.1nC @ 5V | - | 2W | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 8-SOIC | |||
0 现货 | 停产 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 停产 | MOSFET（金属氧化物） | 2 N-通道（双） | - | 400V | 450mA | 4.2 欧姆 @ 225mA，10V | 4V @ 250µA | 7.5nC @ 10V | 210pF @ 25V | 2W | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 8-SOIC | |||
0 现货 | 停产 | 卷带（TR） 剪切带（CT） | 停产 | MOSFET（金属氧化物） | 2 N-通道（双） | - | 500V | 370mA | 6.2 欧姆 @ 185mA，10V | 4V @ 250µA | 8.2nC @ 10V | 200pF @ 25V | 2W | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 8-SOIC |
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