FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N-通道(双)N 和 P 沟道
漏源电压(Vdss)
20V30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.9A,2.1A4A,3.7A4.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
36 毫欧 @ 6.8A,10V58 毫欧 @ 2.5A,4.5V65 毫欧 @ 3.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.8nC @ 10V7nC @ 10V11nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
150pF @ 10V220pF @ 15V-
功率 - 最大值
1.3W1.4W,1.3W3.12W,3.1W
封装/外壳
8-SMD,扁平引线PowerPAK® 1212-8 双SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOP1206-8 ChipFET™PowerPAK® 1212-8 双
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
Pkg 5540
SI3585CDV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Vishay Siliconix
11,078
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.46768
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
3.9A,2.1A
58 毫欧 @ 2.5A,4.5V
1.5V @ 250µA
4.8nC @ 10V
150pF @ 10V
1.4W,1.3W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
6-TSOP
Pkg 5547
SI5504BDC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Vishay Siliconix
10,755
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.28239
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
4A,3.7A
65 毫欧 @ 3.1A,10V
3V @ 250µA
7nC @ 10V
220pF @ 15V
3.12W,3.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SMD,扁平引线
1206-8 ChipFET™
PowerPAK® 1212-8 Dual
SI7212DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Vishay Siliconix
14,310
现货
1 : ¥21.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥9.48435
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
4.9A
36 毫欧 @ 6.8A,10V
1.6V @ 250µA
11nC @ 4.5V
-
1.3W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8 双
PowerPAK® 1212-8 双
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。