FET、MOSFET 阵列

结果 : 21
制造商
Infineon TechnologiesMicrochip TechnologyonsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronicsWolfspeed, Inc.
系列
-CoolSiC™EasyPACK™EasyPACK™, CoolSiC™HybridPACK™WolfPACK™Z-Rec®
包装
托盘散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
配置
2 N 沟道(相角)2 N-通道(双)2 个 N 通道(半桥)4 N 沟道(全桥)4 个 N 通道4 个 N 通道(三级反相器)6 N-Channel(Phase Leg)6 N-沟道(3 相桥)6 个 N 沟道
漏源电压(Vdss)
700V900V1200V(1.2kV)1700V(1.7kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
29.5A(Tc)51A62.5A(Tc)64A(Tc)78A85A(Tj)89A(Tc)120A(Tc)124A(Tc)149A(Tc)171A(Tc)179A(Tc)193A(Tc)238A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.27 毫欧 @ 400A,18V3.45 毫欧 @ 360A,18V3.7 毫欧 @ 400A,15V6.4 毫欧 @ 120A,20V7.8 毫欧 @ 80A,20V9.5 毫欧 @ 80A,20V10.4 毫欧 @ 120A,20V11.7 毫欧 @ 62.5A,18V12 毫欧 @ 100A,18V14 毫欧 @ 100A,15V15 毫欧 @ 90A,20V16 毫欧 @ 120A,20V16 毫欧 @ 80A,20V19 毫欧 @ 40A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 1mA(典型值)2.4V @ 12mA2.4V @ 4mA2.4V @ 8mA2.6V @ 6mA(典型值)2.7V @ 22mA2.8V @ 1mA2.8V @ 2mA2.8V @ 4mA2.8V @ 9mA3.2V @ 2.5mA3.2V @ 7.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
61.5nC @ 20V162nC @ 15V178nC @ 20V200nC @ 18V215nC @ 20V232nC @ 20V236nC @ 15V297nC @ 18V378nC @ 20V430nC @ 20V464nC @ 20V534nC @ 20V546.4nC @ 15V645nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
900pF @ 800V3020pF @ 1000V3300pF @ 1000V4500pF @ 700V4900pF @ 800V6040pF @ 1000V6050pF @ 800V6470pF @ 800V6600pF @ 800V7007pF @ 450V8800pF @ 800V9000pF @ 700V
功率 - 最大值
167W319W(Tc)352W(Tj)365W(Tc)395W(Tc)674W(Tc)704W(Tj)728W(Tc)780W843W(Tc)925W966W(Tc)1.042kW(Tc)1378W(Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)-
安装类型
-底座安装
封装/外壳
-模块
供应商器件封装
-ACEPACKAG-EASY2BAG-EASY3BAG-HYBRIDD-2SP3FSP6-PSP6C模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
21结果

显示
/ 21
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
CCB032M12FM3
CCB021M12FM3
SIC 6N-CH 1200V 51A MODULE
Wolfspeed, Inc.
33
现货
1 : ¥1,907.36000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
6 N-沟道(3 相桥)
-
1200V(1.2kV)
51A
27.9 毫欧 @ 30A,15V
3,6V @ 17,7mA
162nC @ 15V
4900pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
-
CAS120M12BM2
CAS120M12BM2
MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
Wolfspeed, Inc.
96
现货
1 : ¥4,476.64000
散装
散装
不适用于新设计
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
193A(Tc)
16 毫欧 @ 120A,20V
2.6V @ 6mA(典型值)
378nC @ 20V
6470pF @ 800V
925W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
模块
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1-(secondary)
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
SIC 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Infineon Technologies
45
现货
1 : ¥1,329.50000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
85A(Tj)
12 毫欧 @ 100A,18V
5.15V @ 40mA
297nC @ 18V
8800pF @ 800V
-
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
AG-EASY2B
CCB032M12FM3
CAB016M12FM3
SIC 2N-CH 1200V 78A MODULE
Wolfspeed, Inc.
40
现货
1 : ¥1,178.04000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
78A
21.3 毫欧 @ 80A,15V
3.6V @ 23mA
236nC @ 15V
6600pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
-
BSM120D12P2C005
BSM120D12P2C005
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Rohm Semiconductor
11
现货
1 : ¥3,244.50000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
120A(Tc)
-
2.7V @ 22mA
-
14000pF @ 10V
780W
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
模块
模块
9
现货
1 : ¥4,834.16000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
4 N 沟道(全桥)
-
1200V(1.2kV)
400A(Tj)
2.27 毫欧 @ 400A,18V
5.15V @ 224mA
1600nC @ 18V
48400pF @ 800V
-
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
AG-EASY3B
BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE
Rohm Semiconductor
11
现货
1 : ¥6,079.10000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 个 N 通道(半桥)
-
1200V(1.2kV)
300A(Tc)
-
4V @ 68mA
-
35000pF @ 10V
1875W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
模块
11
现货
1 : ¥17,697.96000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
6 N-沟道(3 相桥)
-
1200V(1.2kV)
400A(Tj)
3.7 毫欧 @ 400A,15V
5.55V @ 240mA
1320nC @ 15V
42500pF @ 600V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
AG-HYBRIDD-2
3
现货
1 : ¥2,219.56000
管件
-
管件
在售
碳化硅(SiC)
4 个 N 通道
-
1200V(1.2kV)
89A(Tc)
31 毫欧 @ 40A,20V
2.8V @ 1mA
232nC @ 20V
3020pF @ 1000V
395W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
SP3F
10
现货
1 : ¥8,714.14000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
6 N-Channel(Phase Leg)
-
1700V(1.7kV)
179A(Tc)
15 毫欧 @ 90A,20V
3.2V @ 7.5mA
534nC @ 20V
9900pF @ 1000V
843W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
-
CAG Module
MSCSM70TLM07CAG
SIC 4N-CH 700V 349A SP6C
Microchip Technology
4
现货
1 : ¥6,090.76000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
4 个 N 通道(三级反相器)
-
700V
349A(Tc)
6.4 毫欧 @ 120A,20V
2.4V @ 12mA
645nC @ 20V
13500pF @ 700V
966W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
SP6C
CAG Module
MSCSM120TLM08CAG
SIC 4N-CH 1200V 333A SP6C
Microchip Technology
5
现货
1 : ¥8,321.40000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
4 个 N 通道(三级反相器)
-
1200V(1.2kV)
333A(Tc)
7.8 毫欧 @ 80A,20V
2.8V @ 4mA
928nC @ 20V
12000pF @ 1000V
1378W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
SP6C
NXH020U90MNF2PTG
NXH020U90MNF2PTG
SIC 2N-CH 900V 149A
onsemi
12
现货
1 : ¥1,688.66000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
2 N-通道(双)
-
900V
149A(Tc)
14 毫欧 @ 100A,15V
4.3V @ 40mA
546.4nC @ 15V
7007pF @ 450V
352W(Tj)
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
-
11
现货
1 : ¥2,293.94000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
6 N-沟道(3 相桥)
-
1200V(1.2kV)
62.5A(Tc)
11.7 毫欧 @ 62.5A,18V
5.15V @ 28mA
200nC @ 18V
6050pF @ 800V
-
-
-
-
-
2
现货
1 : ¥6,575.85000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
6 N-Channel(Phase Leg)
-
700V
238A(Tc)
9.5 毫欧 @ 80A,20V
2.4V @ 8mA
430nC @ 20V
9000pF @ 700V
674W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
-
0
现货
查看交期
1 : ¥1,210.39000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
2 N 沟道(相角)
-
1700V(1.7kV)
64A(Tc)
45 毫欧 @ 30A,20V
3.2V @ 2.5mA
178nC @ 20V
3300pF @ 1000V
319W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
-
1
现货
1 : ¥2,292.54000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
6 N-Channel(Phase Leg)
-
700V
124A(Tc)
19 毫欧 @ 40A,20V
2.4V @ 4mA
215nC @ 20V
4500pF @ 700V
365W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
-
0
现货
查看交期
1 : ¥7,705.70000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
6 N-Channel(Phase Leg)
-
1200V(1.2kV)
251A(Tc)
10.4 毫欧 @ 120A,20V
2.8V @ 9mA
696nC @ 20V
9060pF @ 1000V
1.042kW(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
-
SIC 6N-CH 1200V 379A ACEPACK
ADP360120W3
SIC 6N-CH 1200V 379A ACEPACK
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥21,060.26000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
6 个 N 沟道
-
1200V(1.2kV)
379A(Tj)
3.45 毫欧 @ 360A,18V
4.4V @ 40mA
944nC @ 18V
28070pF @ 800V
704W(Tj)
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
ACEPACK
MOSFET 6N-CH 1200V 29.5A MODULE
CCS020M12CM2
MOSFET 6N-CH 1200V 29.5A MODULE
Wolfspeed, Inc.
0
现货
10 : ¥2,620.16100
托盘
托盘
停产
碳化硅(SiC)
6 N-沟道(3 相桥)
-
1200V(1.2kV)
29.5A(Tc)
98 毫欧 @ 20A,20V
2.2V @ 1mA(典型值)
61.5nC @ 20V
900pF @ 800V
167W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
模块
MSCSM120TAM16CTPAG
MSCSM120TAM16CTPAG
SIC 6N-CH 1200V 171A SP6-P
Microchip Technology
0
现货
查看交期
2 : ¥6,632.12500
管件
-
管件
在售
碳化硅(SiC)
6 N-沟道(3 相桥)
-
1200V(1.2kV)
171A(Tc)
16 毫欧 @ 80A,20V
2.8V @ 2mA
464nC @ 20V
6040pF @ 1000V
728W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
SP6-P
显示
/ 21

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。